Die AEC-Q101-zertifizierten 1.200-V- Siliziumkarbid-MOSFETs NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q und NSF060120D7A0-Q mit RDS(on)-Werten von 30, 40 bzw. 60 mΩ bieten laut Nexperia eine branchenführende Temperaturstabilität. Die Bauelemente sind im oberflächenmontierbaren D2PAK-7-Gehäuse untergebracht.
Sie eignen sich besonders für Anwendungen wie Onboard-Ladegeräte (OBC) und Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (EV) sowie für DC-DC-Wandler und Klima- und Heizsysteme (HVAC).
Die hohe Temperaturstabilität über einen weiten Betriebsbereich, die für SMD-Bauelemente besonders wichtig ist, da sie nur über die Leiterplatte gekühlt werden und daher heißer werden können als vergleichbare THT-Bauelemente, erreicht das Unternehmen durch eine spezielle Prozesstechnologie. So steigt der RDS(on)-Wert der neuen SiC MOSFETs über den gesamten Temperaturbereich von 25 °C bis 175 °C lediglich um 38 %. Diese Eigenschaft ermöglicht es Anwendern, höhere Ausgangsleistungen mit einem größeren Nennwert bei 25 °C zu erzielen.
Dank dieser Eigenschaft lassen sich nach Herstellerangaben mit den SiC MOSFETs eine höhere Leistung bei geringeren Kosten erzielen als mit vergleichbaren Bauelementen anderer Anbieter. Hinzu kommen demnach geringere Anforderungen an die Kühlung, kompaktere passive Bauelemente und ein höherer Wirkungsgrad. Dies bietet den Anwendern mehr Designfreiheit und senkt die Systemkosten.
Nexperia plant, im Laufe des Jahres 2025 weitere automobilqualifizierte SiC MOSFETs mit RDS(on)-Werten von 17 mΩ und 80 mΩ auf den Markt zu bringen. (jr)
