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Microchip: Leistungsüberwachung für 48-V-Stromversorgungen
Neue 65-V-Leistungsüberwachungs-ICs von Microchip erfassen Spannung, Strom, Leistung und kumulierte Energie.
Leistungselektronik
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Rohm entwickelt vierte Generation 650-V-IGBTs
Neue IGBTs kombinieren geringe Verluste mit hoher Kurzschlussfestigkeit und AEC-Q101-Qualifikation.
Technologie-Radar
3D-Leistungsmodul mit hoher Leistungsdichte und kompakter Bauform
Leistungsmodul erreicht ultrakompakter Bauform und hoher Leistungsdichte mithilfe eines verformungsarmen, harzisolierten Substrats und einem bei niedriger Temperatur drucklos gesinterten Ag-Halbsinter-Wärmeleitmaterial.
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Infineon: High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz
SPOC Wire Guard bietet High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz und einer über SPI konfigurierbaren Strombegrenzung.
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Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse
Der AEC-Q101 qualifizierten XPJ1R504PB erreicht einen Einschaltwiderstand von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.
Branchen-News
Renesas forciert Plattformstrategie für Software-defined Vehicles
Renesas Electronics erweitert sein Portfolio von Halbleitern hin zu integrierten Hard- und Softwareplattformen.
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ST: 8-Kanal-Gate-Treiber für 48-V-Systeme
Der Gate-Treiber L98GD8E vereint die Konformität mit ISO 21780 mit der Flexibilität eines 8-Kanal-Systems für 48-V-Mild-Hybrid- und Nebenaggregate.
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ROHM: Simulator für die schnelle Verifizierung von Leistungselektronikschaltungen
Webbasiertes Werkzeug für die schnelle Verlust- und Thermikanalyse von Leistungselektronikschaltungen. Entwickler können damit verschiedene Schaltungstopologien und Leistungsbauelemente simulieren und bewerten.
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ROHM: Skalierbare SoC-Stromversorgung
Die konfigurierbare Stromversorgungslösung von Rohm kombiniert PMICs der BD968xx‑C Serie mit dem DrMOS BD96340MFF‑C für eine optimierte SoC-Stromversorgung.
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Rohde & Schwarz: Testportfolio für Leistungselektronik erweitert
Neue Lösungen für die Analyse dreiphasiger Leistungssysteme, Wirkungsgradmessungen elektrischer Antriebe sowie automatisierte Doppelpulstests von SiC- und GaN-Leistungsmodulen.