Von STMicroelectronics kommen High-Side-Leistungsschalter für Automobilanwendungen, die intelligente Sicherungs-Funktionalität mit einer SPI-Schnittstelle für Diagnosedaten kombinieren. Der vierkanalige VNF9Q20F ist das erste Produkt einer neuen Familie, das beim Erkennen eines zu hohen Stroms binnen 100 µs anspricht, um den MOSFET abzuschalten. Mit seinen 64 programmierbaren Grenzströmen bietet das STi2Fuse-Element Designern die Möglichkeit, das Überlastverhalten exakt festzulegen. Ein integrierter 10-bit-AD-Wandler und Fehlerregister ermöglichen die Rückmeldung von Diagnoseinformationen und digitalen Stromwerten. Durch die Bereitstellung von Diagnosedaten per SPI und die eingebauten Selbsttest-Funktionen werden die Bedingungen für bestimmte SIL gemäß ISO 26262 erfüllt. Ein eingebauter Failsafe-Modus sorgt für die Beibehaltung des Betriebszustands im Fall einer Störung oder Fehlfunktion. (oe)
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ST: Achtkanal-Gatetreiber für 48-V-Bordnetze
Der Gate-Treiber L98GD8 von STMicroelectronics verfügt über acht vollständig konfigurierbare Kanäle zum Ansteuern von MOSFETs in High-Side- und Low-Side-Konfigurationen.
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Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse
Der AEC-Q101 qualifizierten XPJ1R504PB erreicht einen Einschaltwiderstand von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.
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Nexperia: 1200-V-SiC-MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse
AEC-Q101-zertifizierte Siliziumkarbidbauelemente kombinieren hohe thermische Stabilität mit Oberflächenmontage.