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Rutronik: SiC-MOSFET-Relais für Lastspannungen bis 3300 V
SiC-MOSFET-Relais der G3VH-Serie von Omron für Hochvolt-Test- und Messanwendungen.
power electronics
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Microchip: Leistungsüberwachung für 48-V-Stromversorgungen
Neue 65-V-Leistungsüberwachungs-ICs von Microchip erfassen Spannung, Strom, Leistung und kumulierte Energie.
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ROHM: MOSFET mit besonders großem SOA
Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET RS4P063BPHZG verfügt über einen erweiterten sicheren Betriebsbereich und ein Design, das den Sekundärdurchbruch unterdrückt.
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Rohm entwickelt vierte Generation 650-V-IGBTs
Neue IGBTs kombinieren geringe Verluste mit hoher Kurzschlussfestigkeit und AEC-Q101-Qualifikation.
Technologie-Radar
3D-Leistungsmodul mit hoher Leistungsdichte und kompakter Bauform
Leistungsmodul erreicht ultrakompakter Bauform und hoher Leistungsdichte mithilfe eines verformungsarmen, harzisolierten Substrats und einem bei niedriger Temperatur drucklos gesinterten Ag-Halbsinter-Wärmeleitmaterial.
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Infineon: High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz
SPOC Wire Guard bietet High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz und einer über SPI konfigurierbaren Strombegrenzung.
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Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse
Der AEC-Q101 qualifizierten XPJ1R504PB erreicht einen Einschaltwiderstand von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.
Branchen-News
Renesas forciert Plattformstrategie für Software-defined Vehicles
Renesas Electronics erweitert sein Portfolio von Halbleitern hin zu integrierten Hard- und Softwareplattformen.
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Rohm: MOSFETs für 48-V-Stromversorgungssysteme
Die 80-V-MOSFETs der Serie AG16xFNxx zeichnen sich durch ihre im Vergleich zu TO-252-Gehäusen kompakteren Gehäuseformen HPLF5060 und DFN3333 aus.
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ROHM: SiC-MOSFETs im oberflächenmontierbaren Gehäuse
Die SiC-MOSFETS im TSC3PAK-Gehäuse sind mit einer Wärmeableitungsfläche an der Oberseite ausgestattet und eignen sich für die automatisierte Bestückung.