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Infineon: High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz
SPOC Wire Guard bietet High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz und einer über SPI konfigurierbaren Strombegrenzung.
power electronics
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Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse
Der AEC-Q101 qualifizierten XPJ1R504PB erreicht einen Einschaltwiderstand von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.
Branchen-News
Renesas forciert Plattformstrategie für Software-defined Vehicles
Renesas Electronics erweitert sein Portfolio von Halbleitern hin zu integrierten Hard- und Softwareplattformen.
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ST: 8-Kanal-Gate-Treiber für 48-V-Systeme
Der Gate-Treiber L98GD8E vereint die Konformität mit ISO 21780 mit der Flexibilität eines 8-Kanal-Systems für 48-V-Mild-Hybrid- und Nebenaggregate.
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ROHM: Simulator für die schnelle Verifizierung von Leistungselektronikschaltungen
Webbasiertes Werkzeug für die schnelle Verlust- und Thermikanalyse von Leistungselektronikschaltungen. Entwickler können damit verschiedene Schaltungstopologien und Leistungsbauelemente simulieren und bewerten.
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ROHM: Skalierbare SoC-Stromversorgung
Die konfigurierbare Stromversorgungslösung von Rohm kombiniert PMICs der BD968xx‑C Serie mit dem DrMOS BD96340MFF‑C für eine optimierte SoC-Stromversorgung.
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Rohde & Schwarz: Testportfolio für Leistungselektronik erweitert
Neue Lösungen für die Analyse dreiphasiger Leistungssysteme, Wirkungsgradmessungen elektrischer Antriebe sowie automatisierte Doppelpulstests von SiC- und GaN-Leistungsmodulen.
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Toshiba: MOSFETs im DFN-Gehäuse mit benetzbaren Flanken
Neues DFN2020B(WF)-Gehäuse verbessert Zuverlässigkeit, Miniaturisierung und AOI bei Automobilanwendungen der nächsten Generation.
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Diodes: Mehrphasen-SPI-Boost-Controller
Der AL8859Q ist ein zweiphasiger SPI-Boost-Controller, der als Primärstufe in Stromversorgungsanwendungen wie adaptive LED-Beleuchtungssysteme.
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Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse
MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse kombinieren vergleichsweise geringe Grundfläche mit zuverlässiger Montage.