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Infineon: 100-V-GaN-Transistor für Automotive
Infineon startet Musterlieferungen der neuen CoolGaN Automotive Transistor 100 V G1-Familie.
Transistoren
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Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
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Nexperia: 1200-V-SiC-MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse
AEC-Q101-zertifizierte Siliziumkarbidbauelemente kombinieren hohe thermische Stabilität mit Oberflächenmontage.
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ST: 40-V-MOSFET mit verbesserter Trench-Gate-Technik
STripFET F8 MOSFET mit Standard-Schwellenspannung und hoher Störbeständigkeit.
Technologie-Radar
Forscher finden Technik zu Herstellung von Transistoren der nächsten Generation
MIT-Ingenieure züchten perfekte hauchdünne Materialien auf industriellen Siliziumwafern. Ihre Technik könnte es Chipherstellern ermöglichen, Transistoren der nächsten Generation auf der Grundlage anderer Materialien als Silizium herzustellen.