News
Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse
Der AEC-Q101 qualifizierten XPJ1R504PB erreicht einen Einschaltwiderstand von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.
Transistoren
News
Infineon: 100-V-GaN-Transistor für Automotive
Infineon startet Musterlieferungen der neuen CoolGaN Automotive Transistor 100 V G1-Familie.
News
Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
News
Nexperia: 1200-V-SiC-MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse
AEC-Q101-zertifizierte Siliziumkarbidbauelemente kombinieren hohe thermische Stabilität mit Oberflächenmontage.
News
ST: 40-V-MOSFET mit verbesserter Trench-Gate-Technik
STripFET F8 MOSFET mit Standard-Schwellenspannung und hoher Störbeständigkeit.
Technologie-Radar
Forscher finden Technik zu Herstellung von Transistoren der nächsten Generation
MIT-Ingenieure züchten perfekte hauchdünne Materialien auf industriellen Siliziumwafern. Ihre Technik könnte es Chipherstellern ermöglichen, Transistoren der nächsten Generation auf der Grundlage anderer Materialien als Silizium herzustellen.