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Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse
Der AEC-Q101 qualifizierten XPJ1R504PB erreicht einen Einschaltwiderstand von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.
MOSFETs
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Rohm: MOSFETs für 48-V-Stromversorgungssysteme
Die 80-V-MOSFETs der Serie AG16xFNxx zeichnen sich durch ihre im Vergleich zu TO-252-Gehäusen kompakteren Gehäuseformen HPLF5060 und DFN3333 aus.
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ROHM: SiC-MOSFETs im oberflächenmontierbaren Gehäuse
Die SiC-MOSFETS im TSC3PAK-Gehäuse sind mit einer Wärmeableitungsfläche an der Oberseite ausgestattet und eignen sich für die automatisierte Bestückung.
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Toshiba: MOSFETs mit neuem SOP-Advance(EWF)-Gehäuse
Neue MOSFETs mit Kupferclip- und Source-Verbindungsstruktur für Nennströme bis 180 A und höhere thermische Leistungsfähigkeit.
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Toshiba: MOSFETs im DFN-Gehäuse mit benetzbaren Flanken
Neues DFN2020B(WF)-Gehäuse verbessert Zuverlässigkeit, Miniaturisierung und AOI bei Automobilanwendungen der nächsten Generation.
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Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse
MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse kombinieren vergleichsweise geringe Grundfläche mit zuverlässiger Montage.
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Infineon: 150-V-MOSFETs im TOLL-, TOLG- und TOLT-Gehäuse
Infineon erweitert sein OptiMOS-6-Portfolio um 150-V-MOSFETs in den Gehäusevarianten TOLL, TOLG und TOLT.
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Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
Branchen-News
onsemi: Traktionswechselrichter von Schaeffler mit SiC-MOSFETs
Schaeffler nutzt bei Traktionswechselrichter für Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge EliteSiC-Produkte von onsemi für mehr Reichweite und mehr Zuverlässigkeit.
Fachberichte & White Paper
White Paper: Die Automotive-SiC-Technologie von Bosch
Auf 21 Seiten stellt Bosch unter dem Titel „Einblicke in die Siliziumkarbid (SiC) Halbleitertechnologie von Bosch“ seine SiC-Leistungshalbleitertechnologie für Automotive-Anwendungen vor.