Die SiC-MOSFET-Relais der G3VH-Serie von Omron sind für Lastspannungen von 1.800 V bzw. 3.300 V ausgelegt. Sie sind jeweils in einem 8,8 x 6,4 mm² großen THT- bzw. SMT-Gehäuse (DIP 6) verfügbar. Sie zeichnen sich durch eine kompakte Bauweise, eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie ein schnelles Schaltverhalten aus.
Die Isolationsspannung zwischen Ein- und Ausgang beträgt 5.000 Vrms. Dadurch eignen sich die Relais insbesondere für Hochvolt-DC-Anwendungen und die Prüfung moderner Leistungshalbleiter. Im Vergleich zu konventionellen MOSFET-Relais ermöglicht die Serie höhere Schaltspannungen. Gegenüber Reed-Relais überzeugen sie durch eine kompaktere Bauform und die hohe Zuverlässigkeit einer Halbleiterlösung.
Für Entwickler von ATE- und Messsystemen ist insbesondere die Kombination aus hoher Isolationsleistung und schnellem Schalten von Vorteil. Die vier Varianten der SiC-MOSFETs sind bei Rutronik erhältlich. (jr)
