News
ROHM: MOSFET mit besonders großem SOA
Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET RS4P063BPHZG verfügt über einen erweiterten sicheren Betriebsbereich und ein Design, das den Sekundärdurchbruch unterdrückt.
Feldeffekttransistoren (FETs)
Branchen-News
VisIC: Kooperation mit AVL für hocheffiziente GaN-Wechselrichter
Wechselrichter mit GaN-Komponenten erreicht auf Motorprüfstand bei 5 kHz einen Benchmark-Wirkungsgrad von 99,9 %.
News
ST: 40-V-MOSFET mit verbesserter Trench-Gate-Technik
STripFET F8 MOSFET mit Standard-Schwellenspannung und hoher Störbeständigkeit.
Technologie-Radar
Forscher entwickeln Herstellungsprozess für ein Dielektrikum auf Al2O3-Basis für 2D-FETs
Neuer Fertigungsprozess ermöglicht die Herstellung zweidimensionaler Feldeffekttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme.