Bosch hat die dritte Generation seiner SiC-MOSFETs vorgestellt. Sie basieren auf der Zweikanal-Trench-Architektur des Unternehmens und bieten mehrere Verbesserungen:
So wurde der spezifische Durchlasswiderstand um 20 Prozent reduziert, die Kurzschlussfestigkeit um rund 10 Prozent erhöht und der Chip um 40 Prozent dünner gemacht. Dies ermöglicht deutliche Effizienzsteigerungen und kostengünstigere Designs von Leistungsmodulen.
Die SiC-Technologie der dritten Generation verbessert die Gesamtleistung und optimiert das Verhältnis zwischen Wirkungsgrad und Robustheit, was ein zentrales Ziel bei der Weiterentwicklung der Leistungselektronik von Bosch ist. Gleichzeitig wirkt sich die reduzierte Chipgröße direkt auf die Produktionseffizienz und die Kosten auf Systemebene aus. Dies wird durch den Übergang zur 200-mm-Waferfertigung zusätzlich unterstützt, da sich dadurch die Chipausbeute pro Wafer erhöht. Während sich die SiC-Chips von Bosch bereits in der anspruchsvollen Umgebung von Hochleistungs-Elektrofahrzeugen bewährt haben, zielt Gen 3 nun darauf ab, das gesamte EV-Spektrum abzudecken – von Premium-Sportwagen bis hin zu Modellen für den Massenmarkt.
Derzeit werden bereits Musterbausteine der dritten Generation an Automobilhersteller weltweit ausgeliefert. Eine breitere Verfügbarkeit wird für das Jahr 2027 erwartet. (jr)
