News
Toshiba: MOSFETs im DFN-Gehäuse mit benetzbaren Flanken
Neues DFN2020B(WF)-Gehäuse verbessert Zuverlässigkeit, Miniaturisierung und AOI bei Automobilanwendungen der nächsten Generation.
Power Switch ICs
News
Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse
MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse kombinieren vergleichsweise geringe Grundfläche mit zuverlässiger Montage.
News
MPS: High-Side-Leistungsschalter mit integrierter E-Fuse
Der MPQ5884-AEC1 kombiniert eine automotive-taugliche E-Sicherung mit geringem Durchgangswiderstand sowie einen High-Side-Leistungsschalter mit einem Modus für niedrigen Ruhestrom.
News
Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
News
Diodes: 80-V-Ideal-Diode-Controller
80-V-Ideal-Diode-Controller mit niedrigem IQ von Diodes vereinfachen den Schutz vor Verpolung und Überspannung in modernen Fahrzeuganwendungen.