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ROHM: SiC-MOSFETs im oberflächenmontierbaren Gehäuse
Die SiC-MOSFETS im TSC3PAK-Gehäuse sind mit einer Wärmeableitungsfläche an der Oberseite ausgestattet und eignen sich für die automatisierte Bestückung.
SiC-MOSFETs
Technologie-Radar
Bosch: Nächste SiC-MOSFET-Generation
Dritte Generation der SiC-MOSFETs von Bosch hat geringere Schaltverluste und eine optimierte Zellarchitektur für zusätzliche Leistungsfähigkeit und Robustheit.
Technologie-Radar
Rohm: Fünfte Generation der SiC-MOSFETS
Der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation um ca. 30 % niedriger.
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Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
Branchen-News
onsemi: Traktionswechselrichter von Schaeffler mit SiC-MOSFETs
Schaeffler nutzt bei Traktionswechselrichter für Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge EliteSiC-Produkte von onsemi für mehr Reichweite und mehr Zuverlässigkeit.
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Yokogawa: Differenztastköpfe für moderne Leistungselektronik
Die Tastköpfe wurden speziell für hochdynamische Messungen von Hochspannungssignalen entwickelt.
Fachberichte & White Paper
Whitepaper: On-Board Charger Solution for Electric Vehicles
Dieses Whitepaper zeigt die Integration von Microchips dsPIC33 Digital Signal Controllern (DSC) mit der Siliziumkarbid (SiC)-Technologie auf, um eine umfassende Systemlösung für die Entwicklung von On-Board-Ladegeräten (OBC) zu bieten.
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Würth Elektronik: Transformatorserie für SiC-MOSFET-Gate-Treiber
WE-AGDT ist eine Serie von Auxiliary Gate Drive Transformern, welche bis zu 6 W für isolierte Hilfsversorgungen bereitstellt und speziell für SiC-MOSFET- und IGBT-Gate-Treibersysteme entwickelt wurde.
News
Toshiba: 2200-V-SiC-MOSFETs
Toshiba stellt einen neuen Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET für 1500 VDC-Anwendungen vor, der sich z. B. für Ladegeräte für Elektrofahrzeuge eignet.