Die SiC-Module im HSDIP20-Gehäuse hat Rohm für den Einsatz in PFC- und LLC-Wandlern in Onboard-Ladegeräten (OBC) optimiert. Die Produktreihe umfasst insgesamt 13 Module, davon sechs für 750 V (BSTxxx1P4K01) und sieben für 1.200 V (BSTxxx2P4K01) mit Varianten in 4-in-1- und 6-in-1-Konfiguration (Vollbrücke, 3-Phasen-Brücke). In einem kompakten Modulgehäuse sind alle notwendigen Grundschaltungen für die Leistungsumwandlung in verschiedenen Hochleistungsanwendungen integriert.
Das HSDIP20-Gehäuse verfügt über ein isolierendes Substrat mit wärmeableitenden Eigenschaften, das den Temperaturanstieg des Chips auch bei hoher Leistung reduziert. Beim Vergleich einer typischen OBC-PFC-Schaltung mit sechs diskreten SiC-MOSFETs mit Wärmeableitung auf der Oberseite mit dem 6-in-1-Modul von ROHM wurde festgestellt, dass das HSDIP20-Gehäuse unter gleichen Bedingungen um ca. 38 °C kühler ist (bei 25-W-Betrieb). Die damit erreichbare Leistungsdichte ist nach Herstellerangaben mehr als dreimal so hoch wie bei oberflächengekühlten diskreten Modulen und mehr als 1,4 mal so hoch wie bei vergleichbaren DIP-Modulen. Damit reduziert das HSDIP20 in der oben genannten PFC-Schaltung den Platzbedarf um rund 52 Prozent gegenüber oberflächengekühlten diskreten Konfigurationen und leistet damit einen wichtigen Beitrag zur Verkleinerung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs. (jr)
