
Rohm: Strategische Zusammenarbeit mit TSMC im Bereich Galliumnitrid-Halbleiter
Im Rahmen der Partnerschaft sollen GaN-Leistungshalbleiter für E-Fahrzeuge entwickelt und produziert werden. […]
Im Rahmen der Partnerschaft sollen GaN-Leistungshalbleiter für E-Fahrzeuge entwickelt und produziert werden. […]
Unternehmen arbeiten an der Optimierung und Entwicklung der nächsten Generation von SiC-Leistungsmodulen für Traktionsumrichter. […]
Vier neue Modelle in zwei Gehäuse- und elf Bare-Chip-Varianten markieren Start der neuen IGBT-Serie der vierten Generation. […]
Die MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und eignen sich u. a. für Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer. […]
Neubau mit 6.000 Quadratmeter Produktionsfläche soll bis Anfang 2026 fertiggestellt sein. […]
VCSELED kombiniert die Eigenschaften von VCSELs und LEDs – großen Abstrahlwinkel und gleichmäßige Lichtabstrahlung. […]
Die Module mit einer Spannungsfestigkeit von 750 V (BSTxxxD08P4A1x4) bzw. 1.200 V (BSTxxxD12P4A1x1) gehören zur SiC-Modulserie TRCDRIVE pack von Rohm. Die Gehäusetechnik wurde speziell für Traktionswechselrichter-Anwendungen bis zu 300 kW entwickelt.
Die Module haben eine Spannungsfestigkeit von 750 V bzw. 1.200 V. […]
Drei neue Modelle mit Nennleistungen von 5 W und niedrigen Widerständen von 0,5, 1,0 und 1,5 Milliohm ergänzen die PMR100-Serie. […]
Rohm stellt hier den Aufbau und das Prinzip der einfacheren Zweiflanken-Rechteckschaltung zur Ansteuerung von GaN-HEMT der komplexeren Einflanken-Resonanz-Schaltung gegenüber. […]
Besondere Trench-MOS-Struktur ermöglicht gleichzeitig niedrige Durchlassspannung und niedrigen Rückstrom. […]
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