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Nexperia: Planar-Schottky-Dioden im CFP2-HP-Gehäuse
Die acht AEC-Q101 qualifizierten, für niedrige Vorwärtsspannung optimierten planaren Schottky-Dioden bieten mit dem CFP2-HP-Gehäuse hohe Wärmeableitung bei kleinem Platzbedarf.
Monat: April 2025
Technologie-Radar
Bidirektionaler 1200-V-GaN-Schalter mit integrierten Freilauf-Dioden
Fraunhofer IAF hat im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL einen 1.200-V-Halbleiterschalter auf Basis seines neue GaN-on-Insulator-Prozesses gefertigt.
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Siemens: Zentrale EDA-Tools erhalten Zertifizierung für fortschrittliche TSMC-Prozesse
Calibre nmPlatform, Analog FastSPICE (AFS) und Solido von Siemens sind für die N2P- und A16-Prozesse von TSMC zertifiiziert.
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AKM: SiC-Leistungsmodul mit integriertem Stromsensor
Asahi Kasei Microdevices (AKM) und Silicon Austria Labs (SAL) haben eine Machbarkeitsstudie für ein Leistungsmodul […]
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ZF: Neue Generation von Range-Extender-Systemen
Die skalierbaren Systeme kombinieren E-Maschine, Inverter und Getriebe in kompakter Bauweise und sind ideal für flexible BEV-Plattformen.
Branchen-News
Rechnungshof: EU-Ziel von 20 Prozent der Chip-Produktion bis 2023 wird deutlich verfehlt
Bis 2023 werden voraussichtlich wertanteilig nur 11,7 % der Mikrochips in der EU gefertigt. Rechnungshof fordert Realitätscheck der EU-Strategie.
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Bourns: Low-Voltage-Varistoren für Schutz vor Spannungstransienten
Varistoren-Serien mit verbesserter Energieabsorption für erhöhten Überspannungsschutz im 1210- und 1812-Gehäuse.
Branchen-News
Li Auto: Erste Open-Source-Module für HaloOS
Li Auto hat die ersten Komponenten seiner Fahrzeugsoftwareplattform HaloOS auf Gitee freigegeben. Die Open-Source-Module bilden die Basis für sichere, echtzeitfähige und skalierbare Steuerungssysteme.
Branchen-News
Porsche: Mit echten Verkehrsdaten zu mehr Sicherheit
Durch die Nutzung realer Verkehrsdaten will Porsche die Leistungsfähigkeit seiner Systeme weiter steigern.
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Infineon: Magnetschalter für ASIL-B-Anwendungen
Die Hall-Effekt-Schalter XENSIV TLE4960x sind AEC-Q100-konform, nach Grade 0 qualifiziert und messen des Magnetfeldes orthogonal zur Leiterplatte.