Mit der zunehmenden Verbreitung softwarebasierter Funktionen in Fahrzeugen wird die Häufigkeit von Aktualisierungen zunehmen. Damit werden die Vorteile von MRAM wie Geschwindigkeit und Ausfallsicherheit weiter an Bedeutung gewinnen.
NXP Semiconductors hat nun gemeinsam mit TSMC einen Embedded MRAM-Speicher in 16-nm- FinFET-Technologie entwickelt. Der Speicher kann 20 MB Code in weniger als drei Sekunden aktualisieren, im Vergleich zu Flash-Speichern, die dazu etwa eine Minute benötigen. Das minimiert die mit Software-Updates verbundenen Ausfallzeiten und ermöglicht es OEMs, lange Modulprogrammierzeiten zu vermeiden. Darüber hinaus bietet MRAM bis zu einer Million Aktualisierungszyklen und erreicht damit eine bis zu 10-mal höhere Lebensdauer als Flash und andere neue Speichertechnologien.
Die Prototypen sind fertiggestellt und werden gerade ausgewertet. Die ersten Produktmuster werden voraussichtlich Anfang 2025 für Kunden verfügbar sein. (oe)
