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Methode zur Aufbringung von Germaniumschichten auf Siliziumsubstraten ermöglicht neuartige Halbleiterbausteine
Forscher nutzt Molekularstrahlepitaxie und niedrige Substrattemperaturen zur Erzeugung von 4 nm dicken Germaniumschichten auf Siliziumsubstrat ohne störende Quantenpunkte.
