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Renesas: 3-nm-TCAM-Speicher mit hoher Dichte und geringen Stromverbrauch
Die neuen Speicher basieren auf einem 3-nm-FinFET-Prozess und eigenen sich wegen der verbesserten funktionalen Sicherheit für Automotive-SoCs.
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NXP und TSMC präsentieren ersten Embedded MRAM
NXP Semiconductors hat gemeinsam mit TSMC einen Embedded MRAM in 16-nm- FinFET-Technologie entwickelt. Der Speicher kann 20 MB Code in weniger als drei Sekunden aktualisieren und minimiert so die mit Software-Updates verbundenen Ausfallzeiten.