Gemäß dem jetzt unterzeichneten Vertrag wird Rohm im Zeitraum 2024 bis 2030 Siliziumkarbid-Halbleiter im Wert von einer Mrd. USD liefern. Die Basis für den jetzt abgeschlossenen Vertrag legten die Unternehmen 2020 mit einer Entwicklungspartnerschaft für SiC-Chips. Bereits 2024 soll bei Vitesco die Serienproduktion von Wechselrichtern mit SiC-Leistungselektronik von Rohm im Auftrag von zwei großen Automobilherstellern beginnen. (jr)
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Toshiba: 2200-V-SiC-MOSFETs
Toshiba stellt einen neuen Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET für 1500 VDC-Anwendungen vor, der sich z. B. für Ladegeräte für Elektrofahrzeuge eignet.
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Rohm: Shunt-Widerstände mit erhöhter Nennleistung
Neue Shunt-Widerstandsserien LTR10L, MCR10L und MCR18L in den Baugrößen 0508, 0805 bzw. 1206 mit Nennleistung von 1 W, 0,5 bzw. 0,75 W.
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Luminar: Vereinbarung mit Mercedes-Benz für die nächste Serienfahrzeuggeneration
Mercedes-Benz plant, die nächste Generation des Iris-Lidars von Luminar und die dazugehörige Software bis Mitte des Jahrzehnts in eine breite Palette von kommenden Serienfahrzeugen zu integrieren.