Gemäß dem jetzt unterzeichneten Vertrag wird Rohm im Zeitraum 2024 bis 2030 Siliziumkarbid-Halbleiter im Wert von einer Mrd. USD liefern. Die Basis für den jetzt abgeschlossenen Vertrag legten die Unternehmen 2020 mit einer Entwicklungspartnerschaft für SiC-Chips. Bereits 2024 soll bei Vitesco die Serienproduktion von Wechselrichtern mit SiC-Leistungselektronik von Rohm im Auftrag von zwei großen Automobilherstellern beginnen. (jr)
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Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse
MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse kombinieren vergleichsweise geringe Grundfläche mit zuverlässiger Montage.
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Rohm: Vier 2-in-1-SiC-Module für xEV-Wechselrichter
Die Module mit einer Spannungsfestigkeit von 750 V (BSTxxxD08P4A1x4) bzw. 1.200 V (BSTxxxD12P4A1x1) gehören zur SiC-Modulserie TRCDRIVE pack von Rohm. Die Gehäusetechnik wurde speziell für Traktionswechselrichter-Anwendungen bis zu 300 kW entwickelt.
Die Module haben eine Spannungsfestigkeit von 750 V bzw. 1.200 V.
Die Module haben eine Spannungsfestigkeit von 750 V bzw. 1.200 V.
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Microchip: ASA-ML-basierte ADAS-Kameramodule
Sunny Smartlead hat Kamera-Module für Fahrerassistenzsysteme ADAS vorgestellt, die auf der VS700-Reihe von ASA‑ML-Bausteinen von Microchip basieren.