Gemäß dem jetzt unterzeichneten Vertrag wird Rohm im Zeitraum 2024 bis 2030 Siliziumkarbid-Halbleiter im Wert von einer Mrd. USD liefern. Die Basis für den jetzt abgeschlossenen Vertrag legten die Unternehmen 2020 mit einer Entwicklungspartnerschaft für SiC-Chips. Bereits 2024 soll bei Vitesco die Serienproduktion von Wechselrichtern mit SiC-Leistungselektronik von Rohm im Auftrag von zwei großen Automobilherstellern beginnen. (jr)
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Rohm: Intelligente Schalter für Zonensteuerungen
Intelligente High-Side-Schalter der Serie BV1HBxxxEFJ von Rohm schützen empfindliche Lasten vor Überstrom, Überspannung und Übertemperatur.
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Rohm: Schneller Gate-Treiber für GaN-Bauelemente
Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich ermöglicht weitere Energieeinsparungen und Miniaturisierung in LiDAR-Anwendungen.
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Rohm: Fünfte Generation der SiC-MOSFETS
Der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation um ca. 30 % niedriger.