semiconductor technology Archive

Forschenden gelingt Aufwachsen einkristalliner polarer Wurtzit-NbAlN-Dünnschichten auf GaN-Substraten

8. September 2026

Verdreifachte Elektronendichte an der Grenzfläche in einer GaN-Heterostruktur eröffnet neue Möglichkeiten für die polarisationsbasierte Materialentwicklung.

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Methode zur Aufbringung von Germaniumschichten auf Siliziumsubstraten ermöglicht neuartige Halbleiterbausteine

4. September 2026

Forscher nutzt Molekularstrahlepitaxie und niedrige Substrattemperaturen zur Erzeugung von 4 nm dicken Germaniumschichten auf Siliziumsubstrat ohne störende Quantenpunkte.

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Power Integrations: Erste 2.200-V-GaN-Technik

6. August 2026

Erreichter Fortschritt erweitert den Einsatzbereich von GaN auf Spannungsbereiche, die bisher SiC vorbehalten waren.

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Zusammenarbeit zur Förderung der Open-Source-Halbleitertechnologie

22. Juli 2026

Das IHP und das chilenische Forschungsinstitut AC3E starten dreijährige Zusammenarbeit zur Förderung von Open-Source-Halbleitertechnologien, Designwerkzeugen und Fertigung.

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Beleg für Machbarkeit der Quasi-monolithischen Chip-Integration auf Wafer-Ebene

19. Mai 2026

Fraunhofer IPMS realisiert hochdichte Chiplet-Systeme auf Wafer-Ebene auf APECS-Pilotlinie.

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Bosch: Nächste SiC-MOSFET-Generation

22. April 2026

Dritte Generation der SiC-MOSFETs von Bosch hat geringere Schaltverluste und eine optimierte Zellarchitektur für zusätzliche Leistungsfähigkeit und Robustheit.

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Rohm: Fünfte Generation der SiC-MOSFETS

21. April 2026

Der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation um ca. 30 % niedriger.

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Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter

31. Oktober 2025

Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.

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AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

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