Technologie-Radar
Beleg für Machbarkeit der Quasi-monolithischen Chip-Integration auf Wafer-Ebene
Fraunhofer IPMS realisiert hochdichte Chiplet-Systeme auf Wafer-Ebene auf APECS-Pilotlinie.
semiconductor technology
Technologie-Radar
Bosch: Nächste SiC-MOSFET-Generation
Dritte Generation der SiC-MOSFETs von Bosch hat geringere Schaltverluste und eine optimierte Zellarchitektur für zusätzliche Leistungsfähigkeit und Robustheit.
Technologie-Radar
Rohm: Fünfte Generation der SiC-MOSFETS
Der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation um ca. 30 % niedriger.
News
Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter
Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.