Technologie-Radar
Power Integrations: Erste 2.200-V-GaN-Technik
Erreichter Fortschritt erweitert den Einsatzbereich von GaN auf Spannungsbereiche, die bisher SiC vorbehalten waren.
Halbleitertechnik
Technologie-Radar
Zusammenarbeit zur Förderung der Open-Source-Halbleitertechnologie
Das IHP und das chilenische Forschungsinstitut AC3E starten dreijährige Zusammenarbeit zur Förderung von Open-Source-Halbleitertechnologien, Designwerkzeugen und Fertigung.
Technologie-Radar
Beleg für Machbarkeit der Quasi-monolithischen Chip-Integration auf Wafer-Ebene
Fraunhofer IPMS realisiert hochdichte Chiplet-Systeme auf Wafer-Ebene auf APECS-Pilotlinie.
Technologie-Radar
Bosch: Nächste SiC-MOSFET-Generation
Dritte Generation der SiC-MOSFETs von Bosch hat geringere Schaltverluste und eine optimierte Zellarchitektur für zusätzliche Leistungsfähigkeit und Robustheit.
Technologie-Radar
Rohm: Fünfte Generation der SiC-MOSFETS
Der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation um ca. 30 % niedriger.
News
Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter
Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.
Technologie-Radar
MIT-Ingenieure stapeln Chiplagen ohne trennende Silziumsubstrate
Mit neuer Methode hergestellte 3D-Chip könnten eine Rechenleistung auf Supercomputer-Niveau in tragbaren Geräten ermöglichen.