AEEmobility

AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

  • News
    • Branchen-News
    • Produkt-News
  • Exklusiv
    • Menschen
    • Start-up
    • Arbeiten bei…
  • Technologie-Radar
  • Medienspiegel
    • Fachberichte & White Paper
    • Webinare & Videos
    • Blogbeitrag
    • Fachbücher
    • Marktreport
    • Podcasts
    • Positionspapier
    • Wissenschaftsbeitrag
  • English Content
News Ticker
  • [ 10. September 2026 ] Vector: Ladekommunikation im Stecker, Steuerung im Schaltschrank News
  • [ 10. September 2026 ] Rosenberger: Hochspannungssteckverbinder für Elektromotoren News
  • [ 10. September 2026 ] Seminar-Tipp: Designfehler oder Messfehler? High-Speed-Digitaldesigns systematisch analysieren Branchen-News
  • [ 9. September 2026 ] Elmos: Langfristige Wafer-Liefervereinbarung mit SK keyfoundry Branchen-News
  • [ 9. September 2026 ] Hella: Beteiligung an Distance Technologies Branchen-News
  • [ 9. September 2026 ] SEGGER: Debug-Probes für StellarStudio von STMicroelectronics News
  • [ 9. September 2026 ] Autoliv: Plattform für Crash-Simulationen News
  • [ 8. September 2026 ] Brainchip: AKD1500-Embedded-Entwicklungskit von Neuromorphyx News
  • [ 8. September 2026 ] IAV startet Erprobung autonomer Shuttles auf Münchner Straßen Branchen-News
  • [ 8. September 2026 ] Meilhaus: 12-bit-Oszilloskop mit Automotive-Diagnose News
Wenn die Ergebnisse der automatischen Vervollständigung verfügbar sind, benutze die Pfeile nach oben und unten, um sie zu überprüfen, und die Eingabetaste, um die gewünschte Seite aufzurufen. Nutzer von Touch-Geräten können durch Berührung oder mit Wischgesten suchen.
StartseiteHalbleitertechnik

Halbleitertechnik

Kein Bild
Technologie-Radar

Forschenden gelingt Aufwachsen einkristalliner polarer Wurtzit-NbAlN-Dünnschichten auf GaN-Substraten

8. September 2026
Verdreifachte Elektronendichte an der Grenzfläche in einer GaN-Heterostruktur eröffnet neue Möglichkeiten für die polarisationsbasierte Materialentwicklung.

[…]

Kein Bild
Technologie-Radar

Methode zur Aufbringung von Germaniumschichten auf Siliziumsubstraten ermöglicht neuartige Halbleiterbausteine

4. September 2026
Forscher nutzt Molekularstrahlepitaxie und niedrige Substrattemperaturen zur Erzeugung von 4 nm dicken Germaniumschichten auf Siliziumsubstrat ohne störende Quantenpunkte.

[…]

Kein Bild
Technologie-Radar

Power Integrations: Erste 2.200-V-GaN-Technik

6. August 2026
Erreichter Fortschritt erweitert den Einsatzbereich von GaN auf Spannungsbereiche, die bisher SiC vorbehalten waren.

[…]

Kein Bild
Technologie-Radar

Zusammenarbeit zur Förderung der Open-Source-Halbleitertechnologie

22. Juli 2026
Das IHP und das chilenische Forschungsinstitut AC3E starten dreijährige Zusammenarbeit zur Förderung von Open-Source-Halbleitertechnologien, Designwerkzeugen und Fertigung.

[…]

Technologie-Radar

Beleg für Machbarkeit der Quasi-monolithischen Chip-Integration auf Wafer-Ebene

19. Mai 2026
Fraunhofer IPMS realisiert hochdichte Chiplet-Systeme auf Wafer-Ebene auf APECS-Pilotlinie.

[…]

Technologie-Radar

Bosch: Nächste SiC-MOSFET-Generation

22. April 2026
Dritte Generation der SiC-MOSFETs von Bosch hat geringere Schaltverluste und eine optimierte Zellarchitektur für zusätzliche Leistungsfähigkeit und Robustheit.

[…]

Technologie-Radar

Rohm: Fünfte Generation der SiC-MOSFETS

21. April 2026
Der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation um ca. 30 % niedriger.

[…]

News

Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter

31. Oktober 2025
Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.

[…]

Technologie-Radar

MIT-Ingenieure stapeln Chiplagen ohne trennende Silziumsubstrate

23. Dezember 2024
Mit neuer Methode hergestellte 3D-Chip könnten eine Rechenleistung auf Supercomputer-Niveau in tragbaren Geräten ermöglichen.

[…]

Medienspiegel

  • Blogbeitrag: How Do We Know Our System Will Actually Work?
    9. September 2026
  • Blogbeitrag: Running CarMaker on AWS Cloud
    31. August 2026
  • Whitepaper: Auswahl von Infineon-Mikrocontrollern – Leitfaden für OBC und HV/LV-DC/DC-Wandler
    24. August 2026
  • Marktreport: Kommerzielle Robotaxi-Flotten und ihre Funktion als Vorbild für autonome Privatfahrzeuge
    19. August 2026
  • White Paper: Geführte virtuelle Stoß- und Falltests zur Validierung elektronischer Geräte
    18. August 2026

News

Vector: Ladekommunikation im Stecker, Steuerung im Schaltschrank

10. September 2026
Vector integriert die Ladekommunikation direkt in den DC-Ladestecker und ermöglicht dadurch bis zu 100 Meter Abstand zwischen Fahrzeug und zentraler Leistungselektronik. […]

Weitere News

  • Rosenberger: Hochspannungssteckverbinder für Elektromotoren
    10. September 2026
  • Kein Bild
    Seminar-Tipp: Designfehler oder Messfehler? High-Speed-Digitaldesigns systematisch analysieren
    10. September 2026
  • Kein Bild
    Elmos: Langfristige Wafer-Liefervereinbarung mit SK keyfoundry
    9. September 2026
  • Blogbeitrag: How Do We Know Our System Will Actually Work?
    9. September 2026
  • Hella: Beteiligung an Distance Technologies
    9. September 2026

Beitragsarchiv

Kategorien

  • News
    • Branchen-News
    • Produkt-News
  • Exklusiv
    • Menschen
    • Start-up
    • Arbeiten bei…
  • Technologie-Radar
  • Medienspiegel
    • Fachberichte & White Paper
    • Webinare & Videos
    • Blogbeitrag
    • Fachbücher
    • Marktreport
    • Podcasts
    • Positionspapier
    • Wissenschaftsbeitrag
  • English Content
  • Über AEEmobility
  • Datenschutzerklärung
  • Impressum
  • LinkedIn
  • Kontakt

© AEEmobility