Technologie-Radar
Bosch: Nächste SiC-MOSFET-Generation
Dritte Generation der SiC-MOSFETs von Bosch hat geringere Schaltverluste und eine optimierte Zellarchitektur für zusätzliche Leistungsfähigkeit und Robustheit.
Siliziumkarbid (SiC)
Technologie-Radar
Rohm: Fünfte Generation der SiC-MOSFETS
Der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation um ca. 30 % niedriger.
Branchen-News
Wolfspeed: 12-inch-SiC-Wafer erfolgreich produziert
Wolfspeed zeigt mit der Fertigung eines einkristallinen 300-mm-Siliziumkarbid-Wafers, dass SiC als strategisches Halbleitermaterial die nächste Stufe der Fertigungsreife erreicht hat.
Branchen-News
Microchip: Kooperation mit Delta bei SiC-basierten Stromversorgungen
Im Rahmen der Vereinbarung setzt Delta die mSiC-Technik von Microchip in Power-Lösungen ein.
Fachberichte & White Paper
White Paper: Die Automotive-SiC-Technologie von Bosch
Auf 21 Seiten stellt Bosch unter dem Titel „Einblicke in die Siliziumkarbid (SiC) Halbleitertechnologie von Bosch“ seine SiC-Leistungshalbleitertechnologie für Automotive-Anwendungen vor.
Branchen-News
ST: Bau einer voll integrierten Siliziumkarbid-Fabrik in Italien
Die neue 200-mm-Siliziumkarbid-Fertigungsanlage für Leistungsbauelemente und -module sowie für Test- und Verpackungszwecke soll in Catania errichtet werden.
News
ST: SiC-Power-Modulfamilie im Dual-Inline-Format
Die Produktfamilie ACEPACK DMT-32 umfasst Varianten mit Four-Pack-, Six-Pack- und Totem-Pole-Konfiguration.
Branchen-News
Onsemi: Erweiterung der Siliziumkarbid-Produktionsanlage in Südkorea abgeschlossen
Bei voller Kapazität wird die Fabrik in Bucheon mehr als eine Million SiC-Wafer pro Jahr herstellen können.
News
Toshiba: 2200-V-SiC-MOSFETs
Toshiba stellt einen neuen Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET für 1500 VDC-Anwendungen vor, der sich z. B. für Ladegeräte für Elektrofahrzeuge eignet.
Branchen-News
Infineon: Weltweit größte 200-Millimeter-SiC Power Fab in Malaysia
Mit der Erweiterung der Fab will Infineon bis Ende des Jahrzehnts einen Marktanteil von 30 % des SiC-Marktes erreichen.