Leistungselektronik Archive - Seite 3 von 9

MPS: High-Side-Leistungsschalter mit integrierter E-Fuse

9. Februar 2026

Der MPQ5884-AEC1 kombiniert eine automotive-taugliche E-Sicherung mit geringem Durchgangswiderstand sowie einen High-Side-Leistungsschalter mit einem Modus für niedrigen Ruhestrom.

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Toshiba stellt Gate-Treiber-IC mit SPI-Ansteuerung vor

29. Januar 2026

Der neue Gate-Treiber-IC ermöglicht die SPI-basierte Ansteuerung leistungsstarker DC-Bürstenmotoren und vereinfacht durch integrierte PWM-Funktionen und Diagnosefeatures die Systemarchitektur.

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Rohm: LDO-Regler mit 500 mA Ausgangsstrom

28. Januar 2026

Proprietäre Regelungstechnik ermöglicht bei den LDO-Reglern der BD9xxN5-Serie den Einsatz kleinerer Ausgangskondensatoren.

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Vicor: Hochleistungsmodule ermöglichen energieschonendes Enteisen von Scheiben

21. Januar 2026

Kompakte Hochleistungsmodule von Vicor ermöglichen Enteisen in 60 Sekunden mit 20-mal weniger Energieaufwand als herkömmliche Enteisungsmethoden.

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Toshiba: Gate-Treiber-IC für dreiphasige BLDC-Motoren

20. November 2025

Der Baustein bietet flexibles Systemdesign, robusten Betrieb und unterstützt Single-Shunt-Systeme.

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CISSOID: 750-V-Hochstrom-IGBT-Modul

13. Oktober 2025

Dreiphasiges 750V/820A IGBT Power Module im CPAK-HPC-Gehäuse

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ST: Achtkanal-Gatetreiber für 48-V-Bordnetze

10. Oktober 2025

Der Gate-Treiber L98GD8 von STMicroelectronics verfügt über acht vollständig konfigurierbare Kanäle zum Ansteuern von MOSFETs in High-Side- und Low-Side-Konfigurationen.

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Rohm: Intelligente Schalter für Zonensteuerungen

30. September 2025

Intelligente High-Side-Schalter der Serie BV1HBxxxEFJ von Rohm schützen empfindliche Lasten vor Überstrom, Überspannung und Übertemperatur.

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Infineon: 150-V-MOSFETs im TOLL-, TOLG- und TOLT-Gehäuse

3. September 2025

Infineon erweitert sein OptiMOS-6-Portfolio um 150-V-MOSFETs in den Gehäusevarianten TOLL, TOLG und TOLT.

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Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch

1. August 2025

Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.

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