Der 40V/120A-N-Kanal-Leistungs-MOSFET XPJ1R504PB im S-TOGL-Gehäuse erweitert das Angebot von Toshiba für 12-V-Bordsysteme. Zu den Zielanwendungen des nach AEC-Q101 qualifizierten Leistungsbausteins mit einem Einschaltwiderstand (RDS(ON)) von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung (VGS) von 10 V zählen unter anderem Wechselrichter, Halbleiterrelais, Lastschalter und Motorantriebe.
Der XPJ1R504PB im S-TOGL-Gehäuse ermöglicht eine kompakte, hochdichte Montage bei hervorragender thermischer Leistung.
Es zeichnet sich zudem durch Gull-Wing-Anschlüsse aus, die die mechanischen Spannungen während der Montage verringern und so die Zuverlässigkeit der Lötstellen verbessern. Darüber hinaus verfügt das Gehäuse über eine Kupferclip-Struktur, die die Source-Elektrodenverbindung des Chips und die äußeren Anschlüsse integriert. Dadurch kann ein niedrigerer parasitärer Widerstand erreicht werden.
Die Verwendung eines dicken Kupferrahmens verringert die transiente thermische Impedanz zwischen Kanal und Gehäuse (Z(th)(ch-c))) auf 0,76 °C/W. Dadurch werden Leitungsverluste reduziert und die Wärmeentwicklung unterdrückt, was die Gesamteffizienz des Systems verbessert. Eine Mehrpolstruktur der Source-Anschlüsse optimiert außerdem die Stromverteilung und ermöglicht eine hohe Strombelastbarkeit.
