Rohm: Strategische Zusammenarbeit mit TSMC im Bereich Galliumnitrid-Halbleiter

Rohm und TSMC sind eine strategische Partnerschaft zur Entwicklung und Serienproduktion von Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelementen für den Einsatz in Elektrofahrzeugen eingegangen.

Rohm bringt dabei seinen Entwicklungskompetenzen in die Partnerschaft ein, während TSMC seine GaN-auf-Silizium-Prozesstechnologie beisteuert. Damit soll die wachsende Nachfrage nach herausragenden Hochspannungs- und Hochfrequenzeigenschaften für siliziumbasierte Leistungsbauelemente erfüllt werden.

Die neuen Aktivitäten bauen auf der schon länger währenden Zusammenarbeit von Rohm und TSMC bei GaN-Leistungsbauelementen für Konsumgüter und Industrieanwendungen auf. So nutzt Rohm seit 2023 die 650-V-GaN-HEMT-Technik von TSMC für Komponenten seiner EcoGaN-Serie.

Parallel zu der jetzt angestoßenen Entwicklung von GaN-Produkten für Automotive-Anwendungen plant Rohm die Bereitstellung benutzerfreundlicher Lösungen mit Steuer-ICs zur Maximierung der GaN-Leistung. (jr)

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