Rohm hat die ersten beiden 80-V-Leistungs-MOSFETs der neuen AG16xFNxx-Serie vorgestellt. Sie wurde für 48-V-Stromversorgungssysteme entwickelt. Die neue Serie ermöglicht durch die Verwendung der 1,1 mm hohen HPLF5060- und der 1 mm hohen DFN3333-Gehäuse im Vergleich zu den standardmäßigen Automobil-MOSFET-Gehäusen, wie dem 6,6 × 10,0 mm² großen TO-252, kompaktere Designs.
Das HPLF5060 ist mit Gull-Wing-Anschlüssen ausgestattet. Das DFN3333 nutzt die Wettable-Flank-Technologie, welche die Zuverlässigkeit auf Leiterplatten (PCB) erhöht. Durch den Einsatz der Copper-Clip-Junction-Technik zur Verbesserung der Wärmeableitung können diese Bauelemente zudem hohe Ströme leiten. Alle Modelle entsprechen dem Automobil-Qualitätsstandard AEC-Q101.
Die Serienproduktion der N-Kanal-MOSFETs AG160FNS4FRA (HPLF5060) mit einer Drain-Stromstärke Id von 120 A und einem RDS(on) von 3,2 mOhm sowie AG166FNH7FRA (DFN3333) mit Id von 40 A und einem RDS(on) von 15,2 mOhm wurde im April 2026 aufgenommen.
Die Produktpalette dieser Gehäuse soll in naher Zukunft weiter ausgebaut werden. Darüber hinaus wurde mit der Entwicklung von Produkten im TOLG-Gehäuse (TO-Leaded with Gullwing, 9,9 × 11,7 mm²) begonnen. (jr)
