News
Rohm: MOSFETs für 48-V-Stromversorgungssysteme
Die 80-V-MOSFETs der Serie AG16xFNxx zeichnen sich durch ihre im Vergleich zu TO-252-Gehäusen kompakteren Gehäuseformen HPLF5060 und DFN3333 aus.
Gehäuse
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ROHM: SiC-MOSFETs im oberflächenmontierbaren Gehäuse
Die SiC-MOSFETS im TSC3PAK-Gehäuse sind mit einer Wärmeableitungsfläche an der Oberseite ausgestattet und eignen sich für die automatisierte Bestückung.
Technologie-Radar
Fraunhofer IZM: Kooperation mit Rapidus im Bereich HPC-Modul-Packaging
Partner arbeiten an neuen Packaging-Lösungen für 2nm-Hochleistungs-Computing-Module mit 2nm-Rechenkern.
Technologie-Radar
Klimaverhältnisse in Elektronikgehäusen simulieren und analysieren
Forschende des IZM haben den Einfluss verschiedener Layout- und Materialoptimierungen von Gehäusen und elektronischen Komponenten eindeutig untersuchbar gemacht.