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Rohm: MOSFETs für 48-V-Stromversorgungssysteme
Die 80-V-MOSFETs der Serie AG16xFNxx zeichnen sich durch ihre im Vergleich zu TO-252-Gehäusen kompakteren Gehäuseformen HPLF5060 und DFN3333 aus.
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ROHM: SiC-MOSFETs im oberflächenmontierbaren Gehäuse
Die SiC-MOSFETS im TSC3PAK-Gehäuse sind mit einer Wärmeableitungsfläche an der Oberseite ausgestattet und eignen sich für die automatisierte Bestückung.