Toshiba Electronics Europe hat drei neue 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vorgestellt (Bausteine XPMR5904PB, XPMR7404PB und XPMR8504PB). Die Bauelemente basieren auf dem neu entwickelten SOP-Advance (EWF)-Gehäuse und sind für Anwendungen wie Wechselrichter, Halbleiterrelais, Lastschalter und elektrische Antriebe ausgelegt.
Kennzeichnend für die neue Gehäusetechnologie ist eine interne Kupferclip-Verbindung zwischen Chip und Leadframe, die auf herkömmliche Lötverbindungen verzichtet. Zudem verbindet eine erweiterte Source-Struktur die Source-Anschlüsse auf der Gehäuserückseite und vergrößert damit die Kontaktfläche zur Leiterplatte. Durch diese optimierte Gehäusearchitektur konnte Toshiba die Chipfläche vergrößern und die Stromtragfähigkeit erhöhen. Der bereits verfügbare XPMR5904PB erreicht einen maximalen Drain-Dauerstrom von bis zu 180 A. Gegenüber dem bisherigen MOSFET XPHR7904PS weist der neue Baustein laut Hersteller einen um rund 25 Prozent niedrigeren Drain-Source-Durchlasswiderstand RDS(on) sowie eine um etwa 38 Prozent reduzierte thermische Impedanz zwischen Chip und Gehäuse auf. Dies soll zu geringeren Verlusten und einer verbesserten Wärmeableitung beitragen. (oe)
