Das TSC3PAK-Gehäuse von Rohm ist ein Package für SiC-MOSFETs mit den Maßen 14,00 × 18,58 × 3,50 mm. Dank der an der Oberseite des Gehäuses angeordneten Wärmeableitungsfläche erreicht es eine vergleichbare Wärmeableitungsleistung wie herkömmliche Durchsteckgehäuse (TO-247-4L). Zugleich erlaubt es als oberflächenmontierbares Gehäuse eine automatisierte Bestückung.
Es verfügt über eine von Rohm entwickelte Rillenstruktur, die nach Herstellerangaben eine in dieser Klasse führende Kriechstrecke von 6,66 mm gewährleistet. Dadurch ist es in der Lage, eine Wechselstrom-Spitzenspannung von 1.200 V in einer Umgebung der Verschmutzungsklasse 2 zu bewältigen. Gleichzeitig wird die Kompatibilität mit marktüblichen Produkten gewährleistet. Es ermöglicht eine sichere Isolationsauslegung in Hochspannungsanwendungen und trägt so zu geringeren Montagekosten und einer höheren Zuverlässigkeit bei.
Das SiC-MOSFET-Produktportfolio im TSC3PAK-Gehäuse umfasst derzeit sechs 1.200-V- und sechs 750-V-SiC-MOSFETs der vierten Generation (Trench) mit Automotive-Qualifizierung (AEC-Q101). Sie sind für den Einsatz in Bordladegeräten (OBCs) und elektrischen Nebenaggregaten wie Kompressoren konzipiert. Die Serienproduktion der Bauteile begann im Juni 2026. (jr)
