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Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
Transistoren
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Nexperia: 1200-V-SiC-MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse
AEC-Q101-zertifizierte Siliziumkarbidbauelemente kombinieren hohe thermische Stabilität mit Oberflächenmontage.
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ST: 40-V-MOSFET mit verbesserter Trench-Gate-Technik
STripFET F8 MOSFET mit Standard-Schwellenspannung und hoher Störbeständigkeit.
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Rohm: Neue n-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und eignen sich u. a. für Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer.
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Nexperia: Kleinsignal-MOSFETs im DFN-Gehäuse
Die Single- und Dual-Kleinsignal-MOSFETs von Nexperia sind in den Gehäusen DFN1110D-3 und DFN1412-6 erhältlich.
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ST: Leitungsschutzschalter mit Diagnosefunktion
Von STMicroelectronics kommen High-Side-Leistungsschalter, die Sicherungs-Funktionalität mit einer SPI-Schnittstelle für Diagnosedaten kombinieren.
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ST: Superjunction-MOSFET-Serie mit neuer Technik
Die für 600 V bzw. 650 V ausgelegten Superjunction-MOSFETs zeichnen sich durch ihre hohe Effizienz und Robustheit aus.
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Toshiba: Zwei neue -60V-p-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs XPH8R316MC und XPH13016MC sind für einen Drainstrom von -90 A bzw. -60 A ausgelegt.
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Rutronik: MOSFETs von PANJIT mit niedriger Durchlassspannung
Geringerer Widerstand, weniger Platzbedarf, größere Avalanche-Festigkeit: PANJITs neue 30 V und 40 V LV-Automotive-MOSFETs.
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Toshiba: MOSFETs im neuen Gehäuse
Neue Bausteine bieten gegenüber Vorgängern einen niedrigeren Durchlasswiderstand und kleinere Abmessungen.