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Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse
MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse kombinieren vergleichsweise geringe Grundfläche mit zuverlässiger Montage.
Rohm
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Rohm: LDO-Regler mit 500 mA Ausgangsstrom
Proprietäre Regelungstechnik ermöglicht bei den LDO-Reglern der BD9xxN5-Serie den Einsatz kleinerer Ausgangskondensatoren.
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Rohm: Metall-Shunt-Widerstände in 2012-Bauform
Die Shunt-Widerstände der UCR10C-Serie von Rohm in der Baugröße 2012 sind für hohe Nennleistungen von 1,0 W und 1,25 W spezifiziert und decken den Bereich von 10 mΩ bis 100 mΩ ab.
Branchen-News
Rohm: Fertigungsvereinbarung mit Tata Electronics
ROHM und Tata Electronics bauen in Indien Leistungshalbleiterproduktion auf. Als Erstes wird damit ein Automotive-Silizium-MOSFET für Indien hergestellt.
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Rohm: EROM models for additional shunt resistors for thermal simulation
Rohm provides embeddable BCI ROM models of shunt resistors for rapid thermal simulation on its website.
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Rohm: EROM-Modelle für weitere Shunt-Widerstände zur Thermosimulation
Rohm stellt auf seiner Webseite Embeddable BCI-ROM-Modelle von Shunt-Widerständen für die schnelle thermische Simulation bereit.
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Rohm: Schottky-Barrier-Diode zum Schutz von Bildsensoren
Die SBD RBE01VYM6AFH überwindet Kompromiss von VF und IR und bietet so einen hochzuverlässigen Schutz von Anwendungen mit hochauflösenden Bildsensoren wie ADAS-Kameras.
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Rohm: Intelligente Schalter für Zonensteuerungen
Intelligente High-Side-Schalter der Serie BV1HBxxxEFJ von Rohm schützen empfindliche Lasten vor Überstrom, Überspannung und Übertemperatur.
Branchen-News
Infineon und ROHM kooperieren bei Gehäusen für SiC-Leistungshalbleiter
Infineon und ROHM planen wechselseitig als zweite Bezugsquelle für Anwendern von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern zu agieren.
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Rohm: Neue SPICE-Level-3-Modelle für SiC-MOSFETs
Neue Level-3-SPICE-Modelle ermöglichen rund 50% kürzere Simulationszeit und präzisere Transientenanalysen.