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ROHM: MOSFET mit besonders großem SOA
Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET RS4P063BPHZG verfügt über einen erweiterten sicheren Betriebsbereich und ein Design, das den Sekundärdurchbruch unterdrückt.
Rohm
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Rohm entwickelt vierte Generation 650-V-IGBTs
Neue IGBTs kombinieren geringe Verluste mit hoher Kurzschlussfestigkeit und AEC-Q101-Qualifikation.
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Rohm: An online platform for technical exchange among engineers
With its new Engineer Social Hub, Rohm Semiconductor provides engineers with an online platform featuring FAQs, discussion forums, a chatbot, and direct access to experts.
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Rohm: Online-Plattform für den technischen Austausch unter Ingenieuren
Mit dem neuen Engineer Social Hub stellt Rohm Semiconductor Ingenieuren eine Online-Plattform mit FAQs, Diskussionsforen, Chatbot und direktem Expertenzugang zur Verfügung.
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Rohm: MOSFETs für 48-V-Stromversorgungssysteme
Die 80-V-MOSFETs der Serie AG16xFNxx zeichnen sich durch ihre im Vergleich zu TO-252-Gehäusen kompakteren Gehäuseformen HPLF5060 und DFN3333 aus.
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ROHM: SiC-MOSFETs im oberflächenmontierbaren Gehäuse
Die SiC-MOSFETS im TSC3PAK-Gehäuse sind mit einer Wärmeableitungsfläche an der Oberseite ausgestattet und eignen sich für die automatisierte Bestückung.
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ROHM: Simulator für die schnelle Verifizierung von Leistungselektronikschaltungen
Webbasiertes Werkzeug für die schnelle Verlust- und Thermikanalyse von Leistungselektronikschaltungen. Entwickler können damit verschiedene Schaltungstopologien und Leistungsbauelemente simulieren und bewerten.
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Rohm: ESD-Schutzdioden für Gigabit-Schnittstellen
Die ESD-Schutzdioden der Serie RESDxVx haben besonders niedrige Rdyn- und Kapazitätwerte und eigenen sich damit für den Schutz von 10-Gbit-Übertragungen und darüber hinaus.
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ROHM: Skalierbare SoC-Stromversorgung
Die konfigurierbare Stromversorgungslösung von Rohm kombiniert PMICs der BD968xx‑C Serie mit dem DrMOS BD96340MFF‑C für eine optimierte SoC-Stromversorgung.
Technologie-Radar
Rohm: Fünfte Generation der SiC-MOSFETS
Der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation um ca. 30 % niedriger.