Technologie-Radar Archive - Seite 3 von 46

News Ticker

[ 12. Juni 2026 ] Keysight erhält DEKRA-Zertifizierung für Hybrid-eCall-Testlösung Branchen-News
[ 12. Juni 2026 ] MAHLE und Rohde & Schwarz: Prüfplattform für ADAS-Sensoren News
[ 12. Juni 2026 ] Bourns: Ferritperlen für Ströme bis 5 A News
[ 11. Juni 2026 ] NXP integriert ADAS-Verarbeitung direkt in Radar-SoC News
[ 11. Juni 2026 ] Schaeffler und Sonatus integrieren KI-Funktionen in Steuergeräte Branchen-News
[ 11. Juni 2026 ] Nexperia und Semikron Danfoss prüfen Zusammenarbeit bei SiC-Leistungsmodulen Branchen-News
[ 10. Juni 2026 ] Rohm: SiC-MOSFETs im oberflächenmontierbaren Gehäuse News
[ 10. Juni 2026 ] AUTOSAR: Erweiterung der Common Adaptive Platform Implementation Branchen-News
[ 10. Juni 2026 ] Tracetronic: KI-gestützte Erstellung von Testfällen News
[ 10. Juni 2026 ] TI: EIS-fähiger Batteriemonitor für Überwachung bis zu 26 Zellen News

Schaltverluste in Antriebssystemen wirtschaftlich reduzieren

28. April 2026

Promovend der Hochschule Osnabrück untersucht das Zusammenspiel von Umrichter und Elektromotor.

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Valeo: Boden-Projektionsmodul mit MEMS-Spiegeln

28. April 2026

Mit Infineon entwickeltes Modul von Valeo ermöglicht Projektionen auf Verkehrsflächen, die Verkehrsteilnehmer informieren und auch tagsüber gut sichtbar sind.

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Methodik zur Bewertung der Thermal-Runaway-Ausbreitung in Batteriesystemen

27. April 2026

Die Studie zeigt, dass die Ausbreitung von Thermal Runaway stark von Zellchemie und Design abhängt und probabilistische Methoden für eine belastbare Sicherheitsbewertung erforderlich sind.

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Rissbildungsprozess während des Ladevorgangs von Feststoffbatterien aufgedeckt

24. April 2026

Dendrite erzeugen hydrostatische Spannung, die zu Zugspannungen im festen Elektrolyten führt. Dadurch kommt es zur Bildung von Rissen und letztendlich zum Kurzschluss.

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Bosch: Nächste SiC-MOSFET-Generation

22. April 2026

Dritte Generation der SiC-MOSFETs von Bosch hat geringere Schaltverluste und eine optimierte Zellarchitektur für zusätzliche Leistungsfähigkeit und Robustheit.

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Halbleiterindustrie setzt auf ungeeignete 2D-Materialien

22. April 2026

Viele 2D-Materialien sind wegen zu schwacher Verbindung zwischen Isolierschicht und 2D-Material für den Aufbau fortschrittlicher Transistoren ungeeignet. TU Wien findet Lösung

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Rohm: Fünfte Generation der SiC-MOSFETS

21. April 2026

Der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation um ca. 30 % niedriger.

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Wie KI mit Unsicherheit umgehen kann

20. April 2026

Im Rahmen von „Beyond Validation AI“ untersucht die Hochschule Ingolstadt, wie sich Unsicherheiten in KI-Systemen systematisch erfassen lassen.

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ASAM: Release 2.2.0 OpenSCENARIO DSL

17. April 2026

Release bringt Anpassung an die ASAM OpenX-Standards, Fehlerbehebungen und Verbesserungen auf Grundlage von Nutzer-Feedback.

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Quantenresistente Kryptographie auf RISC-V

15. April 2026

Ziel der Entwicklung ist ein offenes Chip-Design, das quantenresistente Kryptographie nativ unterstützt und auf Open-Source-Technologien basiert.

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AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

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