Im Fachbeitrag „Four ways integrated GaN converters are redefining high-current power-supply design“ beschreibt Texas Instruments, wie integrierte GaN-Leistungshalbleiter die Entwicklung hochstromfähiger DC/DC-Wandler verändern. Im Fokus stehen Anwendungen mit hohen Leistungsanforderungen, etwa in elektrifizierten Fahrzeugen. Der Autor erläutert detailliert vier zentrale Technologiefelder (reduzierte Schaltverluste, neue Schaltungstopologien, höherer Integrationsgrad und verbessertes Wärmemanagement), mit denen sich die Leistungsdichte steigern und gleichzeitig Baugröße sowie Verluste reduzieren lassen. Als Beispiel nennt er die integrierten GaN-Wandler LMG708B0 und LMG5126. Diese sollen gegenüber vergleichbaren Siliziumlösungen eine bis zu 50 Prozent kleinere Bauform ermöglichen, ohne Einbußen beim Wirkungsgrad hinnehmen zu müssen.
Durch die Kombination aus geringeren Verlusten, höherer Integrationsdichte und neuen Kühlkonzepten entstehen so kompaktere und leistungsfähigere Stromversorgungen. Insbesondere bei Hochstromanwendungen ab etwa 20 A sieht TI integrierte GaN-Lösungen als wichtigen Enabler für zukünftige Automotive-Anwendungen. (oe)
