GaN-Leistungshalbleiter Archive

Fachartikel: Integrierte GaN-Wandler – vier Hebel für leistungsfähigere Hochstromversorgungen

15. Juni 2026

Neue integrierte GaN-FETs ermöglichen höhere Schaltfrequenzen, geringere Verluste und eine deutlich höhere Leistungsdichte.

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CGD: 650-V-GaN-IC für Traktionswechselrichter

9. Juni 2026

Der ICeGaN-IC mit 9 mΩ Einschaltwiderstand soll Verluste im elektrischen Antriebsstrang reduzieren, den Parallelbetrieb mehrerer GaN-Bausteine vereinfachen und kompaktere Inverter für Elektrofahrzeuge ermöglichen.

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GaN-basiertes 800-V-Ladesystem für bidirektionales Laden

3. Juni 2026

Das im Projekt GaN4EmoBiL entwickelte System unterstützt bidirektionales Laden mit bis zu 3 kW und richtet sich an Anwendungen in der Elektromobilität und Energietechnik.

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Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter

31. Oktober 2025

Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.

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Infineon: 100-V-GaN-Transistor für Automotive

21. Oktober 2025

Infineon startet Musterlieferungen der neuen CoolGaN Automotive Transistor 100 V G1-Familie.

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IQE/X-FAB: Entwicklungsvereinbarung für GaN-Halbleiter

10. April 2025

Unternehmen entwickeln gemeinsam eine marktreife GaN-Leistungshalbleiterplattform mit einem skalierbaren, ausgelagerten Fertigungsmodell.

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AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

GaN-Leistungshalbleiter