Technologie-Radar
Power Integrations: Erste 2.200-V-GaN-Technik
Erreichter Fortschritt erweitert den Einsatzbereich von GaN auf Spannungsbereiche, die bisher SiC vorbehalten waren.
GaN-Leistungshalbleiter
Fachberichte & White Paper
Fachartikel: Integrierte GaN-Wandler – vier Hebel für leistungsfähigere Hochstromversorgungen
Neue integrierte GaN-FETs ermöglichen höhere Schaltfrequenzen, geringere Verluste und eine deutlich höhere Leistungsdichte.
News
CGD: 650-V-GaN-IC für Traktionswechselrichter
Der ICeGaN-IC mit 9 mΩ Einschaltwiderstand soll Verluste im elektrischen Antriebsstrang reduzieren, den Parallelbetrieb mehrerer GaN-Bausteine vereinfachen und kompaktere Inverter für Elektrofahrzeuge ermöglichen.
Technologie-Radar
GaN-basiertes 800-V-Ladesystem für bidirektionales Laden
Das im Projekt GaN4EmoBiL entwickelte System unterstützt bidirektionales Laden mit bis zu 3 kW und richtet sich an Anwendungen in der Elektromobilität und Energietechnik.
News
Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter
Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.
News
Infineon: 100-V-GaN-Transistor für Automotive
Infineon startet Musterlieferungen der neuen CoolGaN Automotive Transistor 100 V G1-Familie.
Branchen-News
IQE/X-FAB: Entwicklungsvereinbarung für GaN-Halbleiter
Unternehmen entwickeln gemeinsam eine marktreife GaN-Leistungshalbleiterplattform mit einem skalierbaren, ausgelagerten Fertigungsmodell.