News
ST: Power-Management-IC für MCUs
Der PMIC SPSB100 für hochintegrierte Prozessoren ermöglicht das Programmieren der Power-up-Sequenz sowie die Feinabstimmung der Ausgangsspannungen und Strombereiche.
STMicroelectronics
News
ST: 40-V-MOSFET mit verbesserter Trench-Gate-Technik
STripFET F8 MOSFET mit Standard-Schwellenspannung und hoher Störbeständigkeit.
News
ST: Klasse-D-Verstärker für In-Car-Audio-Anwendungen mit Kfz-optimierten Diagnosefunktionen
Klasse-D-Audioverstärker mit 4 analogen Eingängen, erweiterten Diagnosemöglichkeiten und 2MHz Schaltfrequenz.
News
ST: Leitungsschutzschalter mit Diagnosefunktion
Von STMicroelectronics kommen High-Side-Leistungsschalter, die Sicherungs-Funktionalität mit einer SPI-Schnittstelle für Diagnosedaten kombinieren.
Branchen-News
ST: Bau einer voll integrierten Siliziumkarbid-Fabrik in Italien
Die neue 200-mm-Siliziumkarbid-Fertigungsanlage für Leistungsbauelemente und -module sowie für Test- und Verpackungszwecke soll in Catania errichtet werden.
News
ST: Inertialmodul für KI-gestützte Functional-Safety-Anwendungen bis ASIL B
Der ASM330LHBG1 bietet eine Kombination aus 3-Achsen-Beschleunigungssensor und 3-Achsen-Drehratengeber (Gyroskop) inkl. MLC und FSM.
News
ST: Linearregler mit erweitertem Eingangsspannungsbereich
Die LDOs LDH40 und LDQ40 sind für Betriebsspannungen von 3,3 bis 40 V ausgelegt.
News
ST: Superjunction-MOSFET-Serie mit neuer Technik
Die für 600 V bzw. 650 V ausgelegten Superjunction-MOSFETs zeichnen sich durch ihre hohe Effizienz und Robustheit aus.
News
ST: Operationsverstärker mit geringer Drift und Offsetspannung
5V-OpAmps mit 7µV-Genauigkeit und 1,6MHz-Bandbreite
News
PEAK-System Technik: Positions- und Lagedaten über CAN FD erfassen
Das PCAN-GPS FD ist ein programmierbares Sensormodul zur Positions- und Lagebestimmung mit CAN-FD-Anbindung.