semiconductor production Archive

Sicherer Datenaustausch entlang der Halbleiter-Wertschöpfungskette

29. Juni 2026

Die Fraunhofer-Institute AISEC und IOSB sind dem Semiconductor-X-Konsortium als Cybersecurity-Partner beigetreten und entwickeln eine Roadmap für sichere Datenräume.

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ADI: Produktionsstätte für Halbleiter in Thailand eröffnet

20. März 2026

Analog Devices erweitert in Thailand die Reinraum- und Halbleiterfertigungskapazitäten für Anwendungen in den Bereichen Industrie, Automobil, Kommunikation, Consumer und digitale Gesundheit.

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Wolfspeed: 12-inch-SiC-Wafer erfolgreich produziert

14. Januar 2026

Wolfspeed zeigt mit der Fertigung eines einkristallinen 300-mm-Siliziumkarbid-Wafers, dass SiC als strategisches Halbleitermaterial die nächste Stufe der Fertigungsreife erreicht hat.

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Rohm: Fertigungsvereinbarung mit Tata Electronics

8. Januar 2026

ROHM und Tata Electronics bauen in Indien Leistungshalbleiterproduktion auf. Als Erstes wird damit ein Automotive-Silizium-MOSFET für Indien hergestellt.

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CGD: Chipproduktionspartnerschaft mit Globalfoundries

15. Oktober 2025

Globalfoundries produziert zukünftig iceGaN-Leistungschips für Cambridge GaN Devices.

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X-FAB: Verdoppelung der BCD-on-SOI-Wafer-Kapazität in Malaysia

14. September 2025

X-FAB eröffnet neuen Reinraum in Malaysia und steigert die Kapazität für 180-nm-BCD-on-SOI-Halbleiter um mehr als das Doppelte.

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Rechnungshof: EU-Ziel von 20 Prozent der Chip-Produktion bis 2023 wird deutlich verfehlt

28. April 2025

Bis 2023 werden voraussichtlich wertanteilig nur 11,7 % der Mikrochips in der EU gefertigt. Rechnungshof fordert Realitätscheck der EU-Strategie.

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TSMC: Neuer Logikprozess bringt Geschwindigkeitsvorteil von 15 Prozent

24. April 2025

Logikprozess A14 ist eine Weiterentwickelung des N2-Prozesses und soll 2028 in Produktion gehen. Der N3A-Prozess durchläuft AEC-Q100-Grade-1-Qualifizierung.

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ST: Details zur Umstrukturierung der Fertigung und Kosteneinsparungen

11. April 2025

3-Jahresplan sieht Abbau von mehr als 2.800 Mitarbeitern und Fokus von Investitionen auf 300-mm-Silizium- und 200-mm-SiC-Produktion sowie F&E vor.

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IQE/X-FAB: Entwicklungsvereinbarung für GaN-Halbleiter

10. April 2025

Unternehmen entwickeln gemeinsam eine marktreife GaN-Leistungshalbleiterplattform mit einem skalierbaren, ausgelagerten Fertigungsmodell.

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AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

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