Branchen-News
Infineon: Weltweit erster 300-Millimeter-SiC-Wafer
Branchenweit erste funktionsfähige Leistungsbauelemente wurden im Werk in Villach auf 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafern prozessiert.
semiconductor production
Branchen-News
Bosch: Eigene Sparte für Halbleitergeschäft
Bosch stellt Halbleitersparte ab Januar 2028 auf eigene Beine und peilt 2030 einen Umsatz von 5 Mrd. Euro an.
Branchen-News
Infineon: Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern
Infineon investiert 1,1 Mrd. € in Villach und errichtet die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern.
Technologie-Radar
FIRST by FMD: Europa will Mikroelektronik schneller in die Serie bringen
Mehr als 500 Teilnehmende aus über 200 Unternehmen, unter anderem von ASML, Bosch, Intel, Infineon, GlobalFoundries und TRUMPF, trafen sich am 30. September und 1. Oktober 2026 in Berlin zur ersten FIRST by FMD.
Technologie-Radar
Sicherer Datenaustausch entlang der Halbleiter-Wertschöpfungskette
Die Fraunhofer-Institute AISEC und IOSB sind dem Semiconductor-X-Konsortium als Cybersecurity-Partner beigetreten und entwickeln eine Roadmap für sichere Datenräume.
Branchen-News
ADI: Produktionsstätte für Halbleiter in Thailand eröffnet
Analog Devices erweitert in Thailand die Reinraum- und Halbleiterfertigungskapazitäten für Anwendungen in den Bereichen Industrie, Automobil, Kommunikation, Consumer und digitale Gesundheit.
Branchen-News
Wolfspeed: 12-inch-SiC-Wafer erfolgreich produziert
Wolfspeed zeigt mit der Fertigung eines einkristallinen 300-mm-Siliziumkarbid-Wafers, dass SiC als strategisches Halbleitermaterial die nächste Stufe der Fertigungsreife erreicht hat.
Branchen-News
Rohm: Fertigungsvereinbarung mit Tata Electronics
ROHM und Tata Electronics bauen in Indien Leistungshalbleiterproduktion auf. Als Erstes wird damit ein Automotive-Silizium-MOSFET für Indien hergestellt.
Branchen-News
CGD: Chipproduktionspartnerschaft mit Globalfoundries
Globalfoundries produziert zukünftig iceGaN-Leistungschips für Cambridge GaN Devices.
News
X-FAB: Verdoppelung der BCD-on-SOI-Wafer-Kapazität in Malaysia
X-FAB eröffnet neuen Reinraum in Malaysia und steigert die Kapazität für 180-nm-BCD-on-SOI-Halbleiter um mehr als das Doppelte.