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Nexperia: DC-DC-Abwärtswandler mit niedrigem Ruhestrom
Textauszug max 35 Wörter
power electronics
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Power Integrations: 1.700-V-AC/DC-Wandler-ICs mit großer Kriechstrecke
Flyback-Schalter InnoSwitch 3-AQ erfüllt die Isolationsnorm IEC60664-1
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onsemi und Würth Elektronik: Virtuelles Design von Leistungselektronik-Anwendungen
Der Generator für Verlustleistungsmodelle umfasst jetzt auch passive Komponenten, um Designs noch genauer zu modellieren.
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Infineon: Power module uses silicon-SiC combination
With HybridPACK Drive G2 Fusion for traction converters, Infineon combines silicon and silicon carbide technology in one module for the first time.
Branchen-News
Infineon: 20µm-dicke Silizium-Power-Wafer
Reduzierung der Wafer-Dicke sowie Halbierung des Substratwiderstands führen zu 15 % weniger Leistungsverluste in Power-Systemen.
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Vicor: Leistungsmodule für 48V- Elektrofahrzeugsysteme
Die Leistungsmodule BCM6135, DCM3735 und PRM3735 basieren auf von Vicor entwickelte und AEC-Q100-zertifizierte ICs und haben den PPAP-Prozess mit Automobilkunden durchlaufen.
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Infineon: Leistungsmodul nutzt Silizium-SiC-Kombination
Mit HybridPACK Drive G2 Fusion für Traktionsumrichter kombiniert Infineon erstmals Silizium- und Siliziumkarbid-Technik in einem Modul.
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Nexperia: Bipolare Leistungstransistoren im DFN-Gehäuse
Zehn neue Automotive-BJTs im DFN2020D-3-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannungen von 50 und 80 V.
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VisIC: GaN-Modul mit Leistungsdichte von über 500 Arms / 650 V
Kooperation mit Heraeus Electronics und PINK bei EV-Leistungsmodul auf D3GaN-Basis
Technologie-Radar
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
Verglichen mit etablierten Silizium-Bauelementen bieten die AlN/GaN-HEMTs bis zu dreitausendmal weniger Leitungsverluste als mit Silizium.