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CISSOID: 750-V-Hochstrom-IGBT-Modul
Dreiphasiges 750V/820A IGBT Power Module im CPAK-HPC-Gehäuse
power electronics
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ST: Achtkanal-Gatetreiber für 48-V-Bordnetze
Der Gate-Treiber L98GD8 von STMicroelectronics verfügt über acht vollständig konfigurierbare Kanäle zum Ansteuern von MOSFETs in High-Side- und Low-Side-Konfigurationen.
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Rohm: Intelligente Schalter für Zonensteuerungen
Intelligente High-Side-Schalter der Serie BV1HBxxxEFJ von Rohm schützen empfindliche Lasten vor Überstrom, Überspannung und Übertemperatur.
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Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
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Diodes: 80-V-Ideal-Diode-Controller
80-V-Ideal-Diode-Controller mit niedrigem IQ von Diodes vereinfachen den Schutz vor Verpolung und Überspannung in modernen Fahrzeuganwendungen.
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ST: Low-Side-Treiber mit umfassenden Diagnose- und Schutzfunktionen
Der neue achtkanalige Low-Side-Treiber L9800 vereint kompakte Bauform mit umfassenden Diagnose- und Schutzfunktionen gemäß ISO 26262.
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ST: Konfigurierbarer, achtkanaliger Treiberbaustein mit zusätzlichen Safety-Pins
Der Baustein L9026 bietet acht High-Side- und Low-Side-Kanäle mit Diagnose- und Schutzfeatures sowie eine hardwaregesteuerte Notlauffunktion.
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Nexperia: 1200-V-SiC-MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse
AEC-Q101-zertifizierte Siliziumkarbidbauelemente kombinieren hohe thermische Stabilität mit Oberflächenmontage.
Technologie-Radar
Bidirektionaler 1200-V-GaN-Schalter mit integrierten Freilauf-Dioden
Fraunhofer IAF hat im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL einen 1.200-V-Halbleiterschalter auf Basis seines neue GaN-on-Insulator-Prozesses gefertigt.
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AKM: SiC-Leistungsmodul mit integriertem Stromsensor
Asahi Kasei Microdevices (AKM) und Silicon Austria Labs (SAL) haben eine Machbarkeitsstudie für ein Leistungsmodul […]