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Infineon: Leistungsmodul nutzt Silizium-SiC-Kombination
Mit HybridPACK Drive G2 Fusion für Traktionsumrichter kombiniert Infineon erstmals Silizium- und Siliziumkarbid-Technik in einem Modul.
power electronics
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Nexperia: Bipolare Leistungstransistoren im DFN-Gehäuse
Zehn neue Automotive-BJTs im DFN2020D-3-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannungen von 50 und 80 V.
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VisIC: GaN-Modul mit Leistungsdichte von über 500 Arms / 650 V
Kooperation mit Heraeus Electronics und PINK bei EV-Leistungsmodul auf D3GaN-Basis
Technologie-Radar
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
Verglichen mit etablierten Silizium-Bauelementen bieten die AlN/GaN-HEMTs bis zu dreitausendmal weniger Leitungsverluste als mit Silizium.
Medienspiegel
Webinar: Power-Management-Lösungen von NXP für moderne Fahrzeugarchitekturen
How Power Management Enables the Software-Defined Vehicle Architecture
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ST: Linearregler mit erweitertem Eingangsspannungsbereich
Die LDOs LDH40 und LDQ40 sind für Betriebsspannungen von 3,3 bis 40 V ausgelegt.
Branchen-News
Renesas übernimmt GaN-Spezialist Transphorm
Mit der Übernahme erweitert Renesas sein Portfolio um Galliumnitrid-Leistungshalbleiter.
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Infineon: High-Side-Schalter im TO-Gehäuse für 12V-Netze
Die Serie umfasst zwei Varianten mit einem Einschaltwiderstand von 0,6 bzw. 1mΩ
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Infineon: High-Side-Leistungsschalter mit einstellbarer Überstrombegrenzung
Die High-Side-Leistungsschalter PROFET Load Guard 12V zeichnen sich durch eine Kombination aus einer einstellbaren Überstrombegrenzung und einem speziellen Modus zum Schalten für kapazitive Lasten aus und erfüllen damit die vielfältigen Anforderungen der modernen sekundären Leistungsverteilung.
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Diodes Inc.: Synchrone 60V-Abwärtswandler
Die zwei synchrone Abwärtswandler AP66200Q und AP66300Q für Point-of-Load-Anwendungen decken einen weiten Eingangsspannungsbereich von 3,8 bis 60 V ab.