Branchen-News
Infineon: 20µm-dicke Silizium-Power-Wafer
Reduzierung der Wafer-Dicke sowie Halbierung des Substratwiderstands führen zu 15 % weniger Leistungsverluste in Power-Systemen.
power electronics
News
Vicor: Leistungsmodule für 48V- Elektrofahrzeugsysteme
Die Leistungsmodule BCM6135, DCM3735 und PRM3735 basieren auf von Vicor entwickelte und AEC-Q100-zertifizierte ICs und haben den PPAP-Prozess mit Automobilkunden durchlaufen.
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Infineon: Leistungsmodul nutzt Silizium-SiC-Kombination
Mit HybridPACK Drive G2 Fusion für Traktionsumrichter kombiniert Infineon erstmals Silizium- und Siliziumkarbid-Technik in einem Modul.
News
Nexperia: Bipolare Leistungstransistoren im DFN-Gehäuse
Zehn neue Automotive-BJTs im DFN2020D-3-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannungen von 50 und 80 V.
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VisIC: GaN-Modul mit Leistungsdichte von über 500 Arms / 650 V
Kooperation mit Heraeus Electronics und PINK bei EV-Leistungsmodul auf D3GaN-Basis
Technologie-Radar
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
Verglichen mit etablierten Silizium-Bauelementen bieten die AlN/GaN-HEMTs bis zu dreitausendmal weniger Leitungsverluste als mit Silizium.
Medienspiegel
Webinar: Power-Management-Lösungen von NXP für moderne Fahrzeugarchitekturen
How Power Management Enables the Software-Defined Vehicle Architecture
News
ST: Linearregler mit erweitertem Eingangsspannungsbereich
Die LDOs LDH40 und LDQ40 sind für Betriebsspannungen von 3,3 bis 40 V ausgelegt.
Branchen-News
Renesas übernimmt GaN-Spezialist Transphorm
Mit der Übernahme erweitert Renesas sein Portfolio um Galliumnitrid-Leistungshalbleiter.
News
Infineon: High-Side-Schalter im TO-Gehäuse für 12V-Netze
Die Serie umfasst zwei Varianten mit einem Einschaltwiderstand von 0,6 bzw. 1mΩ