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Infineon: Leistungsmodul nutzt Silizium-SiC-Kombination
Mit HybridPACK Drive G2 Fusion für Traktionsumrichter kombiniert Infineon erstmals Silizium- und Siliziumkarbid-Technik in einem Modul.
power electronics
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Rohm: Neue n-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und eignen sich u. a. für Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer.
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Nexperia: Kleinsignal-MOSFETs im DFN-Gehäuse
Die Single- und Dual-Kleinsignal-MOSFETs von Nexperia sind in den Gehäusen DFN1110D-3 und DFN1412-6 erhältlich.
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Nexperia: Bipolare Leistungstransistoren im DFN-Gehäuse
Zehn neue Automotive-BJTs im DFN2020D-3-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannungen von 50 und 80 V.
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VisIC: GaN-Modul mit Leistungsdichte von über 500 Arms / 650 V
Kooperation mit Heraeus Electronics und PINK bei EV-Leistungsmodul auf D3GaN-Basis
Technologie-Radar
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
Verglichen mit etablierten Silizium-Bauelementen bieten die AlN/GaN-HEMTs bis zu dreitausendmal weniger Leitungsverluste als mit Silizium.
Medienspiegel
Webinar: Power-Management-Lösungen von NXP für moderne Fahrzeugarchitekturen
How Power Management Enables the Software-Defined Vehicle Architecture
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ST: Leitungsschutzschalter mit Diagnosefunktion
Von STMicroelectronics kommen High-Side-Leistungsschalter, die Sicherungs-Funktionalität mit einer SPI-Schnittstelle für Diagnosedaten kombinieren.
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ST: Linearregler mit erweitertem Eingangsspannungsbereich
Die LDOs LDH40 und LDQ40 sind für Betriebsspannungen von 3,3 bis 40 V ausgelegt.
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ST: Superjunction-MOSFET-Serie mit neuer Technik
Die für 600 V bzw. 650 V ausgelegten Superjunction-MOSFETs zeichnen sich durch ihre hohe Effizienz und Robustheit aus.