Das ehemalige Solarmodul-Produktionswerk von Solar Frontier K.K. in Japan soll für die Ausweitung der Produktionskapazität für SiC-Leistungsbauelemente genutzt werden. Die Übernahme soll im Oktober 2023 erfolgen, der Betrieb Ende 2024 aufgenommen werden. Mit einer Grundfläche von ca. 230.000 m² wird die die Produktionsstätte in Kunitomi die größte der Rohm-Gruppe sein. (jr)
VCSELED kombiniert die Eigenschaften von VCSELs und LEDs – großen Abstrahlwinkel und gleichmäßige Lichtabstrahlung. […]
Toshiba stellt einen neuen Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET für 1500 VDC-Anwendungen vor, der sich z. B. für Ladegeräte für Elektrofahrzeuge eignet. […]
Die Module mit einer Spannungsfestigkeit von 750 V (BSTxxxD08P4A1x4) bzw. 1.200 V (BSTxxxD12P4A1x1) gehören zur SiC-Modulserie TRCDRIVE pack von Rohm. Die Gehäusetechnik wurde speziell für Traktionswechselrichter-Anwendungen bis zu 300 kW entwickelt.
Die Module haben eine Spannungsfestigkeit von 750 V bzw. 1.200 V. […]
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