Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse

Rohm nutzt das HPFL5060-Gehäuse für die neuen 40- und 60-V-MOSFETs, die höhere Robustheit mit relativ kleiner Grundfläche verbinden. © Rohm

ROHM erweitert sein Angebot an Low-Voltage-MOSFETs für Automobilanwendungen wie Hauptwechselrichter-Steuerschaltungen, elektrische Pumpen und LED-Scheinwerfer um neue 40-V- und 60-V-Varianten im 4,9×6,0 mm² großen HPLF5060-Gehäuse.

In den letzten Jahren gab es bei Low-Voltage-Automotive-MOSFETs einen Trend zu kleineren Gehäusen der Größe 5060 sowie zu noch kompakteren Optionen. Die Miniaturisierung bringt jedoch erhebliche Herausforderungen für eine zuverlässige Montage mit sich, vor allem aufgrund der geringen Anschlussabstände und des bleifreien Designs.

MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse bieten sich hier als Alternative an. Sie haben eine kleinere Grundfläche als das weit verbreitete TO-252-Gehäuse (6,6×10,0 mm²). Gleichzeitig wird die Zuverlässigkeit der Leiterplattenmontage durch die Verwendung von Gull-Wing-Anschlüssen erhöht. Die Kupferclip-Verbindungstechnologie ermöglicht zudem einen Hochstrombetrieb.

Die Massenproduktion neuer Produkte mit HPLF5060-Gehäuse ist im November 2025 angelaufen.

Die Serienproduktion von MOSFETs im kleineren DFN3333-Gehäuse (3,3×3,3 mm²) mit benetzbaren Flanken ist für Februar 2026 geplant. Darüber hinaus hat ROHM mit der Entwicklung eines TOLG-Gehäuses mit den Abmessungen 9,9×11,7 mm² begonnen. (jr)

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