Infineon: 1.200V-Trench-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse
Die neuen Silziumkarbid-Bausteine bieten eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemkosten. […]
Die neuen Silziumkarbid-Bausteine bieten eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemkosten. […]
Schnell schaltende MOSFETs und integrierte Halbbrücken-Leistungsmodule mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on) pro Schaltposition in Standardgehäusen […]
Für einen zuverlässigen Schutz von Hochspannungs-Schaltkreisen in E-Fahrzeugen bietet Microchip jetzt das E-Fuse Demonstrator Board an, das auf SiC-Technologie basiert und in sechs Varianten für Batteriesysteme von 400 bis 800 V mit einer Stromstärke bis zu 30 A erhältlich ist. […]
ZF und Wolfspeed werden ein gemeinsames europäisches Forschungs- und Entwicklungszentrum für Siliziumkarbid-Leistungselektronik in der Metropolregion Nürnberg gründen. […]
Bosch baut sein Halbleitergeschäft mit Siliziumkarbid-Chips aus und plant Teile des Geschäfts des Halbleiterherstellers TSI Semiconductors aus Roseville, Kalifornien, zu übernehmen. […]
Microchip hat den MPLAB SiC Power Simulator vorgestellt, mit dem sich die SiC-Leistungsbauelemente und -module von Microchip schnell evaluieren lassen. […]
Das israelische Fabless-IC-Design-Unternehmen hat sein 2,2mΩ-650V-Halbbrücken-Leistungsmodul erfolgreich in einer 3-Phasen-Konfiguration auf einem Prüfstand mit einem Permanentmagnet-Synchronmotor-Motor bei einem großen Automobilhersteller getestet. […]
Wolfspeed und ZF gründen ein Innovationszentrum für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Halbleitern. […]
Im Rahmen der jetzt getroffenen Vereinbarung wird Onsemi die EliteSiC-1200V-Leistungsmodule für Traktionswechselrichter bereitstellen […]
Gemäß der Vereinbarung wird Resonac SiC-Material für die Produktion von SiC-Halbleitern an Infineon liefern und damit einen zweistelligen prozentualen Anteil der für das kommende Jahrzehnt prognostizierten Nachfrage decken. […]
© ContentScouts