Das israelische Fabless-IC-Design-Unternehmen hat sein 2,2mΩ-650V Halbbrücken-Leistungsmodul erfolgreich in einer 3-Phasen-Konfiguration auf einem Prüfstand mit einem Permanentmagnet-Synchronmotor-Motor bei einem großen Automobilhersteller getestet. Damit sei bewiesen, dass die D³GaN-Halbleitertechnik (Direct Drive D-Mode Gallium-Nitrid) des Unternehmens auch für die anspruchsvollsten Hochleistungsanwendungen im Automobilbereich geeignet ist. Bedenken hinsichtlich der Parallelisierung und der durch schnelle Schalttransienten verursachten Oszillationen wurden demnach ausgeräumt.
Der Phasenstrom des Wechselrichters erreichte 350 Arms (500 A Spitze) bei 400 V, obwohl die Beschränkungen des Testsystems höhere Ströme verhinderten, die das 2,2mΩ-Power-Modul tragen könnte. In WLTP-Fahrzyklustests erreichte das GaN-Modul einen vergleichbaren Wirkungsgrad wie kommerzielle Module auf Siliziumkarbidbasis, obwohl nicht optimierte Modulprototypen verwendet wurden. Das bedeutet, dass D3GaN sein Versprechen der höchsten Effizienz einlösen und die Fahrzeugkosten durch leichtere, kleinere Stromversorgungssysteme und eine kleinere Batteriegröße verbessern wird, ohne die Reichweite des Fahrzeugs zu beeinträchtigen. Darüber hinaus bietet die D3GaN-Technologie, die auf dem GaN-on-Silicon-Halbleiterprozess basiert, eine bessere Leistung als Siliziumkarbid (SiC) bei wettbewerbsfähigeren Siliziumkosten. (jr)
