Die neue Generation der 1200V-EliteSiC-M3S-Produkte umfasst SiC-MOSFETs und –Module, die höhere Schaltgeschwindigkeiten ermöglichen.
Dazu gehören integrierte Halbbrücken-Leistungsmodulen (PIMs) mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on) in einem Standard-F2-Gehäuse. Sie sind für die in DC-Schnellladestationen für EVs geforderten hohen Leistungsdichten ausgelegt.
Die Automotive-qualifizierten 1200V-EliteSiC-MOSFETs sind für Hochleistungs-OBCs bis 22 kW und DC/DC-Wandler für einen großen Spannungsbereich geeignet. Die M3S-Technologie wurde speziell für schnelles Schalten entwickelt und weist laut Unternehmensangaben die branchenweit niedrigsten Schaltverluste auf. (jr)
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