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  • [ 27. Oktober 2026 ] TDK: High-Performance Hall-Stromsensor-IC für C-Kern-Konzentratoren News
  • [ 27. Oktober 2026 ] Infineon: Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern Branchen-News
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  • [ 23. Oktober 2026 ] EU-Regelungen IAA und CCVR könnten die E-Auto-Produktion in der EU deutlich stärken Branchen-News
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StartseiteSiliziumkarbid (SiC)

Siliziumkarbid (SiC)

Branchen-News

onsemi und Magna unterzeichnen strategische Vereinbarungen für SiC

27. Juli 2023
Magna integriert onsemi EliteSiC in seine Traktionswechselrichterlösungen, um Reichweite und Effizienz von Elektrofahrzeugen zu verbessern

[…]

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Branchen-News

Onsemi: BorgWarner ordert zusätzliche SiC-Bausteine

18. Juli 2023
BorgWarner sichert sich zusätzlich 1.200V- und 750V-Leistungshalbleiter der EliteSiC-Serie für seine VIPER-Leistungsmodule.

[…]

Branchen-News

Rohm erwirbt neue Produktionsstätte

12. Juli 2023
Das ehemalige Solarmodul-Produktionswerk von Solar Frontier K.K. in Japan soll für die Ausweitung der Produktionskapazität […]
News

ZF: Neue Antriebstechnik steigert Reichweite um ein Drittel

29. Juni 2023
ZF stellt das elektrische Konzeptfahrzeug EVbeat vor, das auf höchste Kompaktheit, geringes Gewicht und maximale Effizienz im Realbetrieb ausgelegt ist.

[…]

Kein Bild
Branchen-News

Rohm: Vitesco sichert sich SiC-Bausteine im Wert von 1 Mrd. USD

19. Juni 2023
Gemäß dem jetzt unterzeichneten Vertrag wird Rohm im Zeitraum 2024 bis 2030 Siliziumkarbid-Halbleiter im Wert von einer Mrd. USD liefern.

[…]

News

Infineon: 1.200V-Trench-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse

14. Juni 2023
Die neuen Silziumkarbid-Bausteine bieten eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemkosten.

[…]

News

Onsemi: 1200V-SiC-MOSFETs und -Module

23. Mai 2023
Schnell schaltende MOSFETs und integrierte Halbbrücken-Leistungsmodule mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on) pro Schaltposition in Standardgehäusen

[…]

News

Microchip: Schutz der Leistungselektronik in EV-Anwendungen

10. Mai 2023
Für einen zuverlässigen Schutz von Hochspannungs-Schaltkreisen in E-Fahrzeugen bietet Microchip jetzt das E-Fuse Demonstrator Board an, das auf SiC-Technologie basiert und in sechs Varianten für Batteriesysteme von 400 bis 800 V mit einer Stromstärke bis zu 30 A erhältlich ist.

[…]

Kein Bild
Branchen-News

Wolfspeed und ZF: Neues Forschungszentrum für SiC-Technologie in Bayern

3. Mai 2023
ZF und Wolfspeed werden ein gemeinsames europäisches Forschungs- und Entwicklungszentrum für Siliziumkarbid-Leistungselektronik in der Metropolregion Nürnberg gründen.

[…]

Branchen-News

Bosch kauft US-Foundry TSI Semiconductors​

2. Mai 2023
Bosch baut sein Halbleitergeschäft mit Siliziumkarbid-Chips aus und plant Teile des Geschäfts des Halbleiterherstellers TSI Semiconductors aus Roseville, Kalifornien, zu übernehmen.

[…]

Seitennummerierung der Beiträge

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Medienspiegel

  • Interview: „Eine Diagnose, die primär auf Komponenten schaut, reicht nicht mehr aus“
    15. Oktober 2026
  • Whitepaper: Autonome Off-Highway-Maschinen – vom Prototyp zur Serienproduktion
    14. Oktober 2026
  • Interview: „Validierung von SDVs beginnt mit der ersten Codezeile“
    8. Oktober 2026
  • Whitepaper: „Gut gerüstet für vollautonomes Fahren“
    5. Oktober 2026
  • Applikationsbericht: Wie Stellantis Entwicklung und Validierung mit VEW virtualisiert
    23. September 2026

News

Kein Bild

Valeo und Anritsu: Digital-Twin-Validierungslösung für SDVs

27. Oktober 2026
Virtuelle Telematikeinheit und virtuelles Mobilfunknetz in der Cloud beschleunigen die Validierung der Konnektivität vernetzter Fahrzeuge. […]

Weitere News

  • Forschungsprojekt DETROID untersucht sichere Software-defined Vehicles
    27. Oktober 2026
  • TDK: High-Performance Hall-Stromsensor-IC für C-Kern-Konzentratoren
    27. Oktober 2026
  • Kein Bild
    Infineon: Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern
    27. Oktober 2026
  • Kein Bild
    Volkswagen schafft gemeinsame Organisation für Assistenzsysteme
    27. Oktober 2026
  • LEM: Sensor-IC für Präzisionsmessungen bis 200 A
    26. Oktober 2026

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