Rohm Archive - Seite 2 von 5

Denso prüft Übernahme von Rohm Semiconductor

7. März 2026

Denso prüft eine Übernahme des Halbleiterherstellers Rohm Semiconductor. Der mögliche Deal könnte rund 8,3 Milliarden US-Dollar erreichen und würde Densos Position bei Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge stärken.

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Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse

19. Februar 2026

MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse kombinieren vergleichsweise geringe Grundfläche mit zuverlässiger Montage.

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Rohm: LDO-Regler mit 500 mA Ausgangsstrom

28. Januar 2026

Proprietäre Regelungstechnik ermöglicht bei den LDO-Reglern der BD9xxN5-Serie den Einsatz kleinerer Ausgangskondensatoren.

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Rohm: Metall-Shunt-Widerstände in 2012-Bauform

23. Januar 2026

Die Shunt-Widerstände der UCR10C-Serie von Rohm in der Baugröße 2012 sind für hohe Nennleistungen von 1,0 W und 1,25 W spezifiziert und decken den Bereich von 10 mΩ bis 100 mΩ ab.

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Rohm: Fertigungsvereinbarung mit Tata Electronics

8. Januar 2026

ROHM und Tata Electronics bauen in Indien Leistungshalbleiterproduktion auf. Als Erstes wird damit ein Automotive-Silizium-MOSFET für Indien hergestellt.

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Rohm: EROM models for additional shunt resistors for thermal simulation

25. November 2025

Rohm provides embeddable BCI ROM models of shunt resistors for rapid thermal simulation on its website.

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Rohm: EROM-Modelle für weitere Shunt-Widerstände zur Thermosimulation

21. November 2025

Rohm stellt auf seiner Webseite Embeddable BCI-ROM-Modelle von Shunt-Widerständen für die schnelle thermische Simulation bereit.

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Rohm: Schottky-Barrier-Diode zum Schutz von Bildsensoren

24. Oktober 2025

Die SBD RBE01VYM6AFH überwindet Kompromiss von VF und IR und bietet so einen hochzuverlässigen Schutz von Anwendungen mit hochauflösenden Bildsensoren wie ADAS-Kameras.

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Rohm: Intelligente Schalter für Zonensteuerungen

30. September 2025

Intelligente High-Side-Schalter der Serie BV1HBxxxEFJ von Rohm schützen empfindliche Lasten vor Überstrom, Überspannung und Übertemperatur.

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Infineon und ROHM kooperieren bei Gehäusen für SiC-Leistungshalbleiter

25. September 2025

Infineon und ROHM planen wechselseitig als zweite Bezugsquelle für Anwendern von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern zu agieren.

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AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

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