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ST: Leitungsschutzschalter mit Diagnosefunktion
Von STMicroelectronics kommen High-Side-Leistungsschalter, die Sicherungs-Funktionalität mit einer SPI-Schnittstelle für Diagnosedaten kombinieren.
MOSFETs
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ST: Superjunction-MOSFET-Serie mit neuer Technik
Die für 600 V bzw. 650 V ausgelegten Superjunction-MOSFETs zeichnen sich durch ihre hohe Effizienz und Robustheit aus.
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Toshiba: Zwei neue -60V-p-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs XPH8R316MC und XPH13016MC sind für einen Drainstrom von -90 A bzw. -60 A ausgelegt.
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Rutronik: MOSFETs von PANJIT mit niedriger Durchlassspannung
Geringerer Widerstand, weniger Platzbedarf, größere Avalanche-Festigkeit: PANJITs neue 30 V und 40 V LV-Automotive-MOSFETs.
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Toshiba: MOSFETs im neuen Gehäuse
Neue Bausteine bieten gegenüber Vorgängern einen niedrigeren Durchlasswiderstand und kleinere Abmessungen.
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Infineon: MOSFETs für 24 V- bis 72 V-Steuergeräte
Infineon präsentiert 60-V- und 120-V-OptiMOS 5 MOSFETs in TOLx-Gehäusen für 24 V- bis 72 V-Steuergeräte.
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Infineon: 1.200V-Trench-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse
Die neuen Silziumkarbid-Bausteine bieten eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemkosten.
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Onsemi: 1200V-SiC-MOSFETs und -Module
Schnell schaltende MOSFETs und integrierte Halbbrücken-Leistungsmodule mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on) pro Schaltposition in Standardgehäusen
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Infineon: Neue 40V-MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand
Die OptiMOS 7 40V MOSFET-Familie von Infineon kombiniert die 300-mm-Dünn-Wafer-Fertigung mit innovativem Packaging und bietet so deutliche Leistungsvorteile in sehr kleinen Gehäusen. Laut Unternehmensangaben zeichnen sie sich durch die höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz mit dem […]
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Toshiba: n-Kanal-MOSFETs mit verbesserter Wärmeableitung für höhere Ströme
Die 40 V-n-Kanal-MOSFETs XPQR3004PB und der XPQ1R004PB nutzen das L-TOGL-Gehäuse mit großen Transistorumrissen und Gull-Wing-Anschlüssen. Wegen der bessere Wärmeableitung des Gehäuses können die Leistungshalbleiter höhere Ströme handhaben.