Infineon: MOSFETs für 24 V- bis 72 V-Steuergeräte
Infineon präsentiert 60-V- und 120-V-OptiMOS 5 MOSFETs in TOLx-Gehäusen für 24 V- bis 72 V-Steuergeräte. […]
Infineon präsentiert 60-V- und 120-V-OptiMOS 5 MOSFETs in TOLx-Gehäusen für 24 V- bis 72 V-Steuergeräte. […]
Die neuen Silziumkarbid-Bausteine bieten eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemkosten. […]
Schnell schaltende MOSFETs und integrierte Halbbrücken-Leistungsmodule mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on) pro Schaltposition in Standardgehäusen […]
Die OptiMOS 7 40V MOSFET-Familie von Infineon kombiniert die 300-mm-Dünn-Wafer-Fertigung mit innovativem Packaging und bietet so deutliche Leistungsvorteile in sehr kleinen Gehäusen. Laut Unternehmensangaben zeichnen sie sich durch die höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz mit dem […]
Die 40 V-n-Kanal-MOSFETs XPQR3004PB und der XPQ1R004PB nutzen das L-TOGL-Gehäuse mit großen Transistorumrissen und Gull-Wing-Anschlüssen. Wegen der bessere Wärmeableitung des Gehäuses können die Leistungshalbleiter höhere Ströme handhaben. […]
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