Rutronik: MOSFETs von PANJIT mit niedriger Durchlassspannung

Die 30V- und 40V-Automotive-MOSFETS sind u.a. im DFN3333-8L Gehäuse lieferbar. ©Panjit

    Die neuen 30 V und 40 V Automotive-MOSFETs von PANJIT mit fortschrittlichem Trench-Logic-Level sind so konzipiert, dass sie einen niedrigen RDS(ON) und gleichzeitig eine hohe Avalanche-Robustheit bei kompakter Bauform aufweisen. Sie sind AEC-Q101-qualifiziert und haben eine hohe Sperrschichttemperatur von +175 °C. Erhältlich ist die Produktreihe bei Rutronik in einer Vielzahl von kompakten Gehäusen, darunter DFN3333 und DFN5060-8L. Die Produkte sind ideal für Power-Management-Funktionen, Infotainment, Öl- und Wasserpumpen, ADAS, Motorsteuerung und Sensoren. (jr)

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