Für die zwei 40 V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs hat Toshiba Electronics die neue Gehäusetechnik S-TOGL (Small Transistor Outline Gull-Wing Leads) genutzt, das in Automotive-Anwendungen eine Reihe von Vorteilen bietet.
Die Bausteine XPJR6604PB und XPJ1R004PB basieren auf dem neuesten U-MOS-IX-H-Prozess und haben eine UDSS-Nennspannung von 40 V. Der XPJR6604PB ist für einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von 200 A ausgelegt; der XPJ1R004PB für 160 A. Beide Bausteine sind für einen gepulsten Strom (IDP) mit dem dreifachen Wert (600 bzw. 480 A) spezifiziert. Der Nennstrom von 200 A ist höher als der des 6,5 mm × 9,5 mm großen DPAK+ Gehäuse von Toshiba.
Der Durchlasswiderstand (RDS(ON)) des XPJR6604PB beträgt 0,66 mΩ, der des XPJ1R004PB 1 mΩ. Dies entspricht 11 % weniger als beim bestehenden TKR74F04PB im TO-220SM(W)-Gehäuse von Toshiba. Im Vergleich zu diesem Bauteil wurde die Montagefläche um ca. 55 % reduziert, wobei der Wärmewiderstand zwischen Kanal und Gehäuse (Zth(ch-c)) beibehalten wurde. (jr)
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Schlagwörter: Toshiba, MOSFETs, S-TOGL (Small Transistor Outline Gull-Wing Leads)
